| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪言 | 第10-22页 |
| ·概述 | 第10-11页 |
| ·纳米材料 | 第11-18页 |
| ·纳米材料的物理效应 | 第11-13页 |
| ·纳米复合材料及其特性 | 第13-17页 |
| ·纳米颗粒镶嵌薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·SiO_2基质中镶嵌纳米晶结构 | 第18页 |
| ·半导体/SiO_2纳米材料的发光模型 | 第18-19页 |
| ·本论文研究意义及主要内容 | 第19-22页 |
| ·研究目的 | 第19-20页 |
| ·研究的意义 | 第20-21页 |
| ·主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 单晶GE 与SiO_2性质的研究 | 第22-32页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·单晶 Ge 的计算结果与讨论 | 第22-27页 |
| ·建立模型 | 第22-23页 |
| ·结构优化 | 第23-24页 |
| ·电子结构与光学性质 | 第24-27页 |
| ·SiO_2的计算结果与讨论 | 第27-30页 |
| ·建立模型 | 第27页 |
| ·结构优化 | 第27-29页 |
| ·电子结构与光学性质 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 第三章 GE 杂质缺陷对SiO_2性质影响的研究 | 第32-45页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·晶体内的杂质 | 第32页 |
| ·已有的掺杂SiO_2材料实验分析 | 第32-33页 |
| ·含杂质缺陷材料的计算结果与讨论 | 第33-43页 |
| ·小结 | 第43-45页 |
| 第四章 纳米颗粒对GE/SiO_2镶嵌材料性质影响的研究 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·量子限域发光机制 | 第45页 |
| ·已有纳米晶镶嵌材料的实验分析 | 第45-46页 |
| ·SiO_2的计算结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·纳米镶嵌材料的计算结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·建立模型 | 第49页 |
| ·结构优化 | 第49-50页 |
| ·电子结构 | 第50-52页 |
| ·光学性质 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 GE/SiO_2与SI/SiO_2镶嵌材料性质的比较研究 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56-58页 |
| ·Ge 晶镶嵌与Si 晶镶嵌的异同 | 第56页 |
| ·已有Ge/SiO_2及Si/SiO_2材料的实验分析 | 第56-58页 |
| ·薄膜的计算结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·建立模型 | 第58页 |
| ·结构优化 | 第58-60页 |
| ·电子结构 | 第60-61页 |
| ·光学性质 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第74-75页 |
