| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 高介电常数Al_2O_3薄膜的概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 高介电常数薄膜简介 | 第11-13页 |
| 1.2.2 Al_2O_3薄膜简介及制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3 Al_2O_3薄膜国内外研究 | 第16-18页 |
| 1.3.1 表面形貌的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 力学性能的研究现状 | 第17页 |
| 1.3.3 电学性能的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 课题主要研究内容 | 第18-21页 |
| 1.4.1 课题的选取及研究意义 | 第18-19页 |
| 1.4.2 论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜微观结构、力学和电学理论 | 第21-32页 |
| 2.1 薄膜的表面形貌及AFM分析 | 第21-24页 |
| 2.1.1 连续薄膜的形成 | 第21-23页 |
| 2.1.2 原子力显微镜简介 | 第23-24页 |
| 2.2 薄膜厚度 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜的力学性能 | 第25-29页 |
| 2.3.1 薄膜应力 | 第25-26页 |
| 2.3.2 薄膜应力的测量 | 第26-29页 |
| 2.4 薄膜的电学性能介绍 | 第29-32页 |
| 2.4.1 薄膜的漏电流 | 第29-30页 |
| 2.4.2 薄膜的介电性能 | 第30-31页 |
| 2.4.3 I-V和C-V测试 | 第31-32页 |
| 第三章 磁控溅射制备Al_2O_3薄膜及相关性能 | 第32-47页 |
| 3.1 薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 3.1.1 溅射镀膜装置 | 第32-33页 |
| 3.1.2 磁控溅射镀膜原理 | 第33-34页 |
| 3.2 溅射时间对Al_2O_3薄膜性能的影响 | 第34-41页 |
| 3.2.1 溅射时间对生长厚度的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 溅射时间对表面形貌的影响 | 第35-39页 |
| 3.2.3 溅射时间对力学性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.3. 溅射功率对Al_2O_3薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
| 3.3.1 溅射功率对生长厚度的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 溅射功率对表面形貌的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 溅射功率对力学性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 电子束蒸发制备Al_2O_3薄膜及相关性能 | 第47-59页 |
| 4.1 薄膜的制备 | 第47-48页 |
| 4.2 薄膜的性质分析 | 第48-57页 |
| 4.2.1 XRD衍射分析 | 第48-50页 |
| 4.2.2 薄膜的表面形貌 | 第50-53页 |
| 4.2.3 薄膜的厚度 | 第53页 |
| 4.2.4 薄膜的残余应力 | 第53-57页 |
| 4.3 不同制备工艺对Al_2O_3薄膜的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 高K栅介质材料Al_2O_3薄膜电学性能分析 | 第59-71页 |
| 5.1 MOS结构中的各种缺陷电荷 | 第59-61页 |
| 5.2 漏电流的测试及与应力的关系 | 第61-64页 |
| 5.3 Al_2O_3氧化层介电常数K的计算 | 第64-70页 |
| 5.3.1 表面电场效应 | 第64页 |
| 5.3.2 薄膜的C-V曲线测试 | 第64-68页 |
| 5.3.3 介电常数的计算 | 第68-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的科研成果 | 第78-79页 |