针对OLED显示器件制备工艺中的常压等离子清洗及金属网格导电膜研究
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 序 | 第8-12页 |
| 1 引言 | 第12-20页 |
| 1.1 清洗技术的发展 | 第13-15页 |
| 1.1.1 常规清洗方式 | 第13-14页 |
| 1.1.2 新型清洗方式 | 第14-15页 |
| 1.1.3 目前传统清洗的局限性 | 第15页 |
| 1.2 透明导电膜ITO可替代材料研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 金属网格工艺 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 | 第19-20页 |
| 2 等离子体产生及清洗机理 | 第20-28页 |
| 2.1 等离子体的概念及性质 | 第20页 |
| 2.2 等离子产生原理 | 第20-21页 |
| 2.3 等离子清洗机理 | 第21-22页 |
| 2.4 等离子体分类 | 第22-23页 |
| 2.4.1 高温等离子体与低温等离子体 | 第22-23页 |
| 2.4.2 低压等离子体与常压等离子体 | 第23页 |
| 2.5 常压等离子产生方式 | 第23-27页 |
| 2.5.1 介质阻挡放电 | 第23-24页 |
| 2.5.2 电晕放电 | 第24-25页 |
| 2.5.3 滑动电弧放电 | 第25页 |
| 2.5.4 常压射流等离子体放电 | 第25-27页 |
| 2.6 常压等离子清洗发展 | 第27-28页 |
| 3 常压等离子喷枪清洗工艺研究 | 第28-40页 |
| 3.1 光刻胶的清洗去除 | 第28-35页 |
| 3.1.1 处理时间对去胶速率的影响 | 第29页 |
| 3.1.2 输入功率对去胶速率的影响 | 第29-30页 |
| 3.1.3 硅片温度对去胶速率的影响 | 第30-31页 |
| 3.1.4 氧气流量去胶速率的影响 | 第31-33页 |
| 3.1.5 去胶后硅片粗糙度的表征 | 第33-35页 |
| 3.2 NPB和Alq3的清洗去除 | 第35-36页 |
| 3.3 Ar等离子体对金属表面的处理 | 第36-38页 |
| 3.3.1 接触角的测量原理 | 第36-37页 |
| 3.3.2 实验及结果分析 | 第37-38页 |
| 3.4 常压H_2等离子对PCB板的处理 | 第38-39页 |
| 3.5 小结 | 第39-40页 |
| 4 Metal Mesh制备相关理论 | 第40-47页 |
| 4.1 清洗工艺 | 第40-41页 |
| 4.2 溅射工艺 | 第41-43页 |
| 4.2.1 磁控溅射原理 | 第41-42页 |
| 4.2.2 影响溅射成膜的工艺参数 | 第42-43页 |
| 4.3 光刻工艺 | 第43-44页 |
| 4.4 刻蚀工艺 | 第44-46页 |
| 4.4.1 湿法刻蚀 | 第44-45页 |
| 4.4.2 干法刻蚀 | 第45-46页 |
| 4.5 小结 | 第46-47页 |
| 5 Metal Mesh制备工艺研究 | 第47-57页 |
| 5.1 湿法腐蚀制备金属网格 | 第47-48页 |
| 5.1.1 制备工艺流程 | 第47-48页 |
| 5.1.2 图形分析 | 第48页 |
| 5.2 刻槽法制备金属网格 | 第48-52页 |
| 5.2.1 前期准备 | 第49页 |
| 5.2.2 等离子刻蚀 | 第49-51页 |
| 5.2.3 金属沉积 | 第51页 |
| 5.2.4 金属剥离 | 第51-52页 |
| 5.3 金属网格透过率测试 | 第52-53页 |
| 5.4 多层金属剥离技术制备金属网格 | 第53-56页 |
| 5.4.1 双层金属剥离技术 | 第53-54页 |
| 5.4.2 三层金属剥离技术 | 第54-56页 |
| 5.5 小结 | 第56-57页 |
| 6 结论与展望 | 第57-58页 |
| 结论 | 第57页 |
| 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 作者简历 | 第61-63页 |
| 学位论文数据集 | 第63页 |
