摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 气体传感器类别及金属氧化物半导体传感器工作机理 | 第10-13页 |
1.1.1 气体传感器的类别 | 第10-11页 |
1.1.2 金属氧化物半导体气体传感器的工作机理 | 第11-13页 |
1.2 金属氧化物气敏材料改性 | 第13-14页 |
1.3 介孔材料 | 第14-18页 |
1.3.1 介孔材料的分类 | 第14-15页 |
1.3.2 介孔材料的合成方法 | 第15-17页 |
1.3.3 介孔材料形成机理 | 第17-18页 |
1.3.4 介孔材料优点 | 第18页 |
1.4 介孔结构气敏材料的相关研究 | 第18-19页 |
1.5 本课题主要的研究内容及意义 | 第19-21页 |
第2章 实验过程与分析方法 | 第21-27页 |
2.1 实验药品与仪器 | 第21-22页 |
2.1.1 实验药品 | 第21页 |
2.1.2 实验仪器 | 第21-22页 |
2.2 介孔氧化锡基薄膜的制备工艺 | 第22-23页 |
2.2.1 单纯氧化锡薄膜的制备 | 第22-23页 |
2.2.2 掺杂氧化锡薄膜的制备 | 第23页 |
2.3 样品表征 | 第23-25页 |
2.4 气敏测试 | 第25-26页 |
2.5 本章小结 | 第26-27页 |
第3章 介孔氧化锡薄膜表征及气敏测试 | 第27-49页 |
3.1 锡离子浓度的影响 | 第27-32页 |
3.1.1 样品表征 | 第27-30页 |
3.1.2 薄膜气敏测试 | 第30-32页 |
3.2 模板剂 PEG2000 的影响 | 第32-38页 |
3.2.1 样品表征 | 第33-36页 |
3.2.2 薄膜气敏测试 | 第36-38页 |
3.3 去离子水的影响 | 第38-42页 |
3.3.1 样品表征 | 第38-40页 |
3.3.2 薄膜气敏测试 | 第40-42页 |
3.4 焙烧温度的影响 | 第42-48页 |
3.4.1 样品表征 | 第43-46页 |
3.4.2 薄膜气敏测试 | 第46-48页 |
3.5 本章小结 | 第48-49页 |
第4章 掺杂态介孔氧化锡薄膜表征及气敏测试 | 第49-60页 |
4.1 CuO 掺杂氧化锡薄膜 | 第49-56页 |
4.1.1 样品表征 | 第50-53页 |
4.1.2 薄膜气敏测试 | 第53-56页 |
4.2 Ag 掺杂氧化锡薄膜 | 第56-59页 |
4.3 本章小结 | 第59-60页 |
结论 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第65-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
作者简介 | 第67页 |