| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 稀土发光材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.3 硫化钼的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 液相超声法 | 第14页 |
| 1.3.3 水热法 | 第14-15页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 1.4 硫化钼的掺杂方法 | 第16-17页 |
| 1.4.1 化学掺杂法 | 第16页 |
| 1.4.2 离子液体掺杂法 | 第16-17页 |
| 1.5 硫化钼的应用 | 第17-20页 |
| 1.5.1 光电探测器 | 第18-19页 |
| 1.5.2 场效应晶体管 | 第19页 |
| 1.5.3 薄膜光电池 | 第19-20页 |
| 1.6 主要内容及创新点 | 第20-21页 |
| 第二章 硫化钼薄膜的制备与表征 | 第21-27页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第21-22页 |
| 2.2 硫化钼薄膜的表征 | 第22-26页 |
| 2.2.1 硫化钼薄膜表面形貌的表征 | 第22-23页 |
| 2.2.2 硫化钼薄膜晶体结构的表征 | 第23-24页 |
| 2.2.3 硫化钼薄膜光学特性的表征 | 第24-25页 |
| 2.2.4 硫化钼薄膜电学特性的表征 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 Er掺杂MoS_2薄膜的制备与表征 | 第27-38页 |
| 3.1 反应温度对Er:MoS_2薄膜特性的影响 | 第27-31页 |
| 3.1.1 不同反应温度下的Er:MoS_2薄膜的晶体结构 | 第27-28页 |
| 3.1.2 不同反应温度下的Er:MoS_2薄膜的光学特性 | 第28-30页 |
| 3.1.3 不同反应温度下的Er:MoS_2薄膜的电学特性 | 第30-31页 |
| 3.2 反应时间对Er:MoS_2薄膜特性的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 铒掺杂对MoS_2薄膜特性的影响 | 第32-37页 |
| 3.3.1 铒掺杂对MoS_2薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.2 铒掺杂对MoS_2薄膜晶体结构的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.3 铒掺杂对MoS_2薄膜光学特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.4 铒掺杂对MoS_2薄膜电学特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 Eu掺杂MoS_2薄膜的制备与表征 | 第38-49页 |
| 4.1 反应温度对Eu:MoS_2薄膜特性的影响 | 第38-41页 |
| 4.1.1 不同反应温度下制备的Eu:MoS_2薄膜的XRD曲线 | 第38-39页 |
| 4.1.2 不同反应温度下制备的Eu:MoS_2薄膜的AFM图像 | 第39-40页 |
| 4.1.3 不同反应温度下制备的Eu:MoS_2薄膜的光学特性 | 第40-41页 |
| 4.1.4 不同反应温度下制备的Eu:MoS_2薄膜的电学特性 | 第41页 |
| 4.2 反应时间对Eu:MoS_2薄膜特性的影响 | 第41-44页 |
| 4.2.1 不同反应时间下Eu:MoS_2薄膜的XRD曲线 | 第41-42页 |
| 4.2.2 不同反应时间下Eu:MoS_2薄膜的光反射特性 | 第42-43页 |
| 4.2.3 不同反应时间下Eu:MoS_2薄膜的I-V特性 | 第43-44页 |
| 4.3 铕掺杂对MoS_2薄膜特性的影响 | 第44-48页 |
| 4.3.1 铕掺杂对MoS_2薄膜表面形貌的影响 | 第44页 |
| 4.3.2 铕掺杂对MoS_2薄膜晶体结构的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 铕掺杂对MoS_2薄膜光学特性的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.4 铕掺杂对MoS_2薄膜电学特性的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 作者简历 | 第57页 |
