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Pt/Co:ZnO/Nb:SrTiO3异质结的电阻变换、光响应与磁性调控研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-28页
    1 新型非易失存储器概述第9-11页
        1.1 铁电存储器第9页
        1.2 磁阻存储器第9-10页
        1.3 相变存储器第10页
        1.4 阻变存储器第10-11页
    2 阻变存储器的发展以及物理机制第11-21页
        2.1 阻变效应的分类第11-12页
        2.2 阻变特征参数第12-14页
        2.3 电阻变换的物理机制第14-19页
        2.4 MIM结构电输运过程第19-21页
    3 ZnO基阻变存储器研究进展第21-26页
        3.1 电极对ZnO基阻变存储器的影响第21-22页
        3.2 掺杂对ZnO基阻变存储器的影响第22-24页
        3.3 ZnO基多功能阻变器件第24-26页
    4 本文研究思路与内容第26-28页
第二章 样品制备方法以及表征测试技术第28-35页
    1 样品制备方法第28-32页
        1.1 脉冲激光沉积第28-30页
        1.2 磁控溅射第30-31页
        1.3 固相烧结第31-32页
    2 样品表征技术第32-35页
第三章 Pt/Co_(0.03)Zn_(0.97)O/NSTO异质结阻变特性研究第35-46页
    1 Pt/CZO/NSTO结构阻变器件制备第35-36页
    2 CZO薄膜的物相结构测试与形貌测试第36-37页
    3 Pt/CZO/NSTO器件的阻变特性测试第37-39页
    4 Pt/CZO/NSTO器件的多态存储第39-40页
    5 I-V特性拟合分析第40-41页
    6 Pt/CZO/NSTO光响应测试第41-42页
    7 Pt/CZO/NSTO器件磁性调控第42-44页
    8 阻变机理分析第44-46页
第四章 总结第46-47页
参考文献第47-53页
硕士期间发表论文第53-54页
致谢第54-55页

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