| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 硫化亚铜及其研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 Cu_2S 的性质概述 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Cu_2S 的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 氧化锌及其研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3.1 ZnO 的性质概述 | 第14页 |
| 1.3.2 ZnO 的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3.3 ZnO 多层膜的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 硫化亚铜与氧化锌复合薄膜的制备方法及表征手段 | 第21-33页 |
| 2.1 复合薄膜的制备 | 第21-25页 |
| 2.1.1 ZnO 与 Cu_2S 薄膜的制备方法 | 第21页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第21-25页 |
| 2.2 复合薄膜的表征 | 第25-33页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测量 | 第25页 |
| 2.2.2 X 射线衍射物相分析 | 第25-27页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.4 透射谱 | 第28-30页 |
| 2.2.5 薄膜导电性能测试 | 第30-33页 |
| 第三章 复合薄膜的光学性质 | 第33-41页 |
| 3.1 反射率和折射率 | 第33-36页 |
| 3.2 单层膜的反射率和折射率 | 第36-37页 |
| 3.3 Cu_2S 与 ZnO 复合薄膜的透射率 | 第37-39页 |
| 3.4 薄膜的折射率和消光系数 | 第39-41页 |
| 第四章 磁控溅射法制备 Cu_2S 和 ZnO 薄膜及其表征 | 第41-51页 |
| 4.1 溅射仪器介绍及操作流程 | 第41-44页 |
| 4.1.1 溅射仪器介绍 | 第41-44页 |
| 4.1.2 磁控溅射操作流程 | 第44页 |
| 4.2 ZnO 和 Cu_2S 单层薄膜的制备及光电特性研究 | 第44-49页 |
| 4.2.1 Zn 靶制备 ZnO 薄膜 | 第44-47页 |
| 4.2.2 Cu_2S 靶制备 Cu_2S 薄膜 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 磁控溅射法制备 Cu_2S，ZnO 复合薄膜及其表征 | 第51-65页 |
| 5.1 复合薄膜的制备 | 第51-63页 |
| 5.1.1 Cu_2S/ZnO 复合薄膜的光电特性 | 第51-55页 |
| 5.1.2 ZnO/Cu_2S 复合薄膜的光电特性 | 第55-58页 |
| 5.1.3 ZnO/Cu_2S/ZnO 复合薄膜的光电特性 | 第58-63页 |
| 5.2 本章小结 | 第63-65页 |
| 论文总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 科研成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
