表面微结构对GaN基LED光提取效率提高的研究
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 论文中常用符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景和当前现状 | 第14-17页 |
| 1.2 LED的发展史及当前的研究意义 | 第17-18页 |
| 1.3 本文行文安排 | 第18-20页 |
| 第二章 LED半导体知识 | 第20-34页 |
| 2.1 LED的衬底类型 | 第20-21页 |
| 2.1.1 GaN衬底 | 第20页 |
| 2.1.2 蓝宝石衬底 | 第20-21页 |
| 2.1.3 SiC衬底 | 第21页 |
| 2.2 LED的发光原理 | 第21-25页 |
| 2.3 LED的辐射发光效率指标 | 第25页 |
| 2.4 LED光提取效率的限制因素 | 第25-28页 |
| 2.5 LED光提取效率的提高方式 | 第28-30页 |
| 2.6 常见的LED仿真方法 | 第30-34页 |
| 2.6.1 有限元法 | 第31页 |
| 2.6.2 时域有限差分法 | 第31-32页 |
| 2.6.3 射线追踪法 | 第32-34页 |
| 第三章 顶端纳米结构对LED发光效率的影响 | 第34-59页 |
| 3.1 表面纳米结构的理论意义 | 第34-36页 |
| 3.1.1 渐变折射率的作用 | 第34-35页 |
| 3.1.2 表面粗化的作用 | 第35-36页 |
| 3.1.3 类似于光子晶体的作用 | 第36页 |
| 3.2 时域有限差分算法 | 第36-43页 |
| 3.2.1 Maxwell方程组 | 第36-40页 |
| 3.2.2 激励源的设置 | 第40-41页 |
| 3.2.3 边界条件 | 第41-43页 |
| 3.3 仿真方法与模型设计 | 第43-44页 |
| 3.4 ZnO纳米柱结构对LED提取效率的影响 | 第44-51页 |
| 3.5 ZnO纳米锥结构对LED提取效率的影响 | 第51-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 微纳米复合结构的影响 | 第59-72页 |
| 4.1 复合结构的相关实验 | 第59页 |
| 4.2 两种电磁仿真方法的各自局限性 | 第59-61页 |
| 4.3 纳米结构与等效折射率层 | 第61-66页 |
| 4.3.1 仿真模型 | 第61-62页 |
| 4.3.2 纳米柱阵列与单一折射率层的仿真 | 第62-65页 |
| 4.3.3 纳米阵列与渐变折射率层的等效 | 第65-66页 |
| 4.4 复合结构与等效折射率层 | 第66-71页 |
| 4.4.1 仿真模型 | 第66-67页 |
| 4.4.2 仿真与分析 | 第67-69页 |
| 4.4.3 模型参数优化 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小节 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 论文的主要成果 | 第72-73页 |
| 5.2 论文的不足之处及后续展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-83页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第83-84页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第84页 |
