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电子熔断器关键电路的研究与设计

摘要第6-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-16页
    1.1 研究背景与意义第11-13页
        1.1.1 USB接口简介第11-12页
        1.1.2 热插拔电源管理芯片的意义第12页
        1.1.3 热插拔电源管理类芯片的发展第12-13页
    1.2 电子熔断器的设计第13-15页
    1.3 本文的主要工作与安排第15-16页
第2章 USB电子熔断器的设计原理第16-26页
    2.1 热插拔第16-17页
    2.2 电子熔断器保护类开关的两种拓扑第17-20页
        2.2.1 功率管为PMOS的电子熔断器结构第18-19页
        2.2.2 功率管为NMOS的电子熔断器结构第19-20页
    2.3 指标设计依据以及器件选型第20-25页
        2.3.1 指标设计依据第20-21页
        2.3.2 负载电容的充电时间第21页
        2.3.3 功率MOSFET的选型第21-24页
        2.3.4 软启动的原理与实现第24-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第3章 过流保护电路的设计与仿真验证第26-41页
    3.1 早期的过流保护电路第26-29页
        3.1.1 过流保护、短路保护、限流保护第26页
        3.1.2 早期的过流保护电路第26-29页
    3.2 低功耗过流保护模块的设计第29-38页
        3.2.1 预比较电路第30-36页
        3.2.2 精准采样电路第36-37页
        3.2.3 单边延时的比较器第37-38页
    3.3 仿真验证第38-40页
    3.4 本章小结第40-41页
第四章 驱动电路的设计与仿真验证第41-56页
    4.1 MOSFET电气开关及其驱动简介第41-48页
        4.1.1 MOS管的介绍第41-43页
        4.1.2 电气开关的基本要求第43-44页
        4.1.3 MOSFET开关管的驱动要求和损失第44-48页
    4.2 栅极驱动电路的设计第48-53页
        4.2.1 防误触发电路第49页
        4.2.2 低压启动第49-50页
        4.2.3 自关断迟滞特性第50-51页
        4.2.4 软启动第51-53页
    4.3 仿真验证第53-55页
    4.4 本章小结第55-56页
第五章 驱动电路及其过流保护的级联仿真第56-62页
    5.1 级联仿真电路的搭建第56页
    5.2 关键参数与波形的仿真第56-61页
        5.2.1 导通阻抗的仿真第56-57页
        5.2.2 功率管的导通仿真第57-58页
        5.2.3 不同负载电容下的POWER ON仿真第58-59页
        5.2.4 短路及短路恢复的仿真第59-61页
    5.3 本章小结第61-62页
结论与未来的工作第62-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-67页
攻读硕士学位期间发表的论文第67页

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