| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 纳米加工技术研究现状 | 第10-21页 |
| 1.2 表面二维纳米增透结构研究现状 | 第21-26页 |
| 1.3 本论文的研究内容及意义 | 第26-29页 |
| 2 二维纳米结构压印模板制备技术研究 | 第29-48页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 纳米压印模板的性能及选择 | 第29-34页 |
| 2.3 基于自组装方法的纳米压印模板制备 | 第34-38页 |
| 2.4 基于AAO模板的纳米压印技术研究 | 第38-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 3 基于三层掩膜的软紫外纳米压印技术 | 第48-62页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 纳米压印初始模板的前处理工艺 | 第49-54页 |
| 3.3 三层掩膜软紫外纳米压印关键制备技术 | 第54-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 4 非平整表面光子晶体干法剥离压印制备技术 | 第62-72页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 常规软紫外纳米压印制备光子晶体 | 第63-65页 |
| 4.3 基于干法lift-off软紫外纳米压印技术的光子晶体制备 | 第65-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 5 表面二维纳米增透结构理论与设计 | 第72-90页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 纳米增透结构数值研究理论 | 第72-78页 |
| 5.3 光子晶体LED结构设计 | 第78-82页 |
| 5.4 亚波长增透结构设计 | 第82-88页 |
| 5.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 6 基于纳米压印技术纳米多孔LED的研究 | 第90-100页 |
| 6.1 引言 | 第90-91页 |
| 6.2 大孔径(250-500 nm)AAO模板的制备 | 第91-92页 |
| 6.3 纳米多孔LED器件制备工艺 | 第92-93页 |
| 6.4 LED器件的测试与表征 | 第93-97页 |
| 6.5 LED器件出光效率的仿真 | 第97-99页 |
| 6.6 本章小结 | 第99-100页 |
| 7 基于纳米压印技术Si表面亚波长增透结构的研究 | 第100-112页 |
| 7.1 引言 | 第100页 |
| 7.2 周期性二维纳米增透结构研究 | 第100-105页 |
| 7.3 非周期性二维纳米增透结构研究 | 第105-111页 |
| 7.4 本章小结 | 第111-112页 |
| 8 总结 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-127页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文及专利目录 | 第127-130页 |