| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 新型阻变存储器 | 第12-15页 |
| 1.2.1 分立电荷存储器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 铁电存储器(FeRAM) | 第13-14页 |
| 1.2.3 磁性存储器(MRAM) | 第14页 |
| 1.2.4 相变存储器(PRAM) | 第14-15页 |
| 1.2.5 阻变存储器(RRAM) | 第15页 |
| 1.3 阻变存储器发展和研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3.1 阻变存储器的发展历程 | 第15-18页 |
| 1.3.2 ZnO阻变器件的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 本文主要的研究内容与意义 | 第20-23页 |
| 第二章 阻变存储器的工作原理和阻变机制 | 第23-30页 |
| 2.1 阻变存储器的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.1.1 阻变存储器的结构 | 第23-24页 |
| 2.1.2 RRAM的分类 | 第24页 |
| 2.2 阻变存储器的阻变机制 | 第24-29页 |
| 2.2.1 电化学金属化阻变机制 | 第24-26页 |
| 2.2.2 界面的肖特基势垒模型 | 第26-27页 |
| 2.2.3 金属氧空位导电细丝模型 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 ZnO材料的能带与相变 | 第30-46页 |
| 3.1 ZnO体系材料的能带与态密度计算 | 第30-40页 |
| 3.1.1 ZnO的能带的计算 | 第31-36页 |
| 3.1.2 采用GGA+U方法对ZnO材料的能带的计算 | 第36-37页 |
| 3.1.3 加电场对ZnO能带的影响 | 第37-40页 |
| 3.2 ZnO高温退火产生无定形的结构 | 第40-44页 |
| 3.3 ZnO晶体结构中的氧空位的形成能的计算 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 阻变器件的界面与器件性质研究 | 第46-65页 |
| 4.1 器件结构模型的建立的步骤 | 第46-49页 |
| 4.2 金属电极表面的功函数的计算 | 第49-52页 |
| 4.3 温度对电极结构的Ⅳ特性的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 铂(Pt)在铂电极表面的扩散 | 第55-57页 |
| 4.5 Ag/ZnO/Pt器件结构性质的研究 | 第57-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 工作的总结 | 第65页 |
| 5.2 工作展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 图表目录 | 第72-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第77页 |