| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 GaN晶体管 | 第11-13页 |
| 1.2.2 DC/DC电源 | 第13-15页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN E-HEMT的基本结构及特性分析 | 第16-34页 |
| 2.1 GaN E-HEMT的基本结构 | 第16-19页 |
| 2.2 GaN E-HEMT的基本工作原理 | 第19-20页 |
| 2.3 GaN E-HEMT的反向导通特性 | 第20-21页 |
| 2.4 GaN E-HEMT的开关特性 | 第21-28页 |
| 2.4.1 GaN E-HEMT的开关特性仿真 | 第21-22页 |
| 2.4.2 GaN E-HEMT开关过程分析 | 第22-28页 |
| 2.5 GaN E-HEMT损耗分析 | 第28-33页 |
| 2.5.1 开关损耗 | 第29-32页 |
| 2.5.2 导通损耗 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 开关过程尖峰及振荡形成原因及抑制方法 | 第34-62页 |
| 3.1 GaN E-HEMT的开关速度 | 第34-40页 |
| 3.2 主动管尖峰及振荡形成原因及抑制方法 | 第40-55页 |
| 3.2.1 开通电流尖峰及振荡形成原因分析 | 第40-43页 |
| 3.2.2 关断过电压及振荡形成原因分析 | 第43-46页 |
| 3.2.3 开通电流尖峰及振荡抑制方法 | 第46-49页 |
| 3.2.4 关断过电压及振荡抑制方法 | 第49-52页 |
| 3.2.5 一种新型RCCD尖峰及振荡抑制电路设计 | 第52-55页 |
| 3.3 被动管串扰问题形成原因及抑制方法 | 第55-61页 |
| 3.3.1 串扰问题形成原因分析 | 第55-56页 |
| 3.3.2 影响串扰问题的因素 | 第56-59页 |
| 3.3.3 串扰问题的抑制方法 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 基于GaN E-HEMT的DC/DC电源设计 | 第62-89页 |
| 4.1 DC/DC电源主电路 | 第62-70页 |
| 4.1.1 DC/DC电源拓扑选择 | 第62页 |
| 4.1.2 LLC谐振变换器的基本工作原理 | 第62-66页 |
| 4.1.3 LLC谐振变换器的建模 | 第66-69页 |
| 4.1.4 改进型LLC谐振变换器 | 第69-70页 |
| 4.2 主电路参数设计 | 第70-76页 |
| 4.2.1 器件选型 | 第70-71页 |
| 4.2.2 主电路参数设计 | 第71-72页 |
| 4.2.3 平面变压器参数设计 | 第72-74页 |
| 4.2.4 死区时间设计 | 第74-75页 |
| 4.2.5 主电路仿真 | 第75-76页 |
| 4.3 开关管损耗计算与分析 | 第76-83页 |
| 4.3.1 开关管损耗计算 | 第76-81页 |
| 4.3.2 开关管损耗分析 | 第81-83页 |
| 4.4 驱动电路设计 | 第83-88页 |
| 4.4.1 驱动设计要求分析 | 第83-86页 |
| 4.4.2 驱动电路设计 | 第86-88页 |
| 4.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 基于GaN E-HEMT的DC/DC电源实验结果与分析 | 第89-95页 |
| 5.1 实验平台的搭建 | 第89-91页 |
| 5.2 实验数据及波形分析 | 第91-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 总结与展望 | 第95-96页 |
| 6.1 总结 | 第95页 |
| 6.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-100页 |
| 在学期间的研究成果 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
