| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 引言 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-38页 |
| §1.1 多功能氧化物薄膜的主要制备方法 | 第16-29页 |
| §1.1.1 射频磁控溅射法 | 第18-20页 |
| §1.1.2 溶胶-凝胶法 | 第20-23页 |
| §1.1.3 脉冲激光沉积法 | 第23-26页 |
| §1.1.4 金属有机物化学气相沉积法 | 第26-29页 |
| §1.2 钛酸锶钡(BST)薄膜的简介 | 第29-32页 |
| §1.2.1 BST薄膜的结构特点 | 第29-30页 |
| §1.2.2 BST薄膜的制备工艺参数对其电学性能的影响 | 第30-31页 |
| §1.2.3 BST薄膜的潜在应用 | 第31-32页 |
| §1.3 BiFeO_3基多铁薄膜的简介 | 第32-34页 |
| §1.3.1 BiFeO_3的晶体结构 | 第32-33页 |
| §1.3.2 BiFe0_3基薄膜的铁电性和磁学性能 | 第33-34页 |
| §1.4 本文的研究背景和主要内容 | 第34-38页 |
| §1.4.1 本文的研究背景 | 第34-36页 |
| §1.4.2 本文的主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的微结构、光学和电学性能研究 | 第38-68页 |
| §2.1 引言 | 第38-39页 |
| §2.2 单相BST陶瓷靶材的制备 | 第39-45页 |
| §2.2.1 BST靶材原料的选择和预处理 | 第39页 |
| §2.2.2 BST陶瓷靶材的制备工艺 | 第39-43页 |
| §2.2.3 BST陶瓷靶材的晶相结构 | 第43-45页 |
| §2.3 BST薄膜的射频磁控溅射工艺 | 第45-47页 |
| §2.3.1 基片的清洗和底电极Pt/TiN_x/Si_3N_4/Si的制备 | 第45-46页 |
| §2.3.2 射频磁控溅射法制备BST薄膜的实验过程 | 第46-47页 |
| §2.4 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的微结构、表面元素组成及其键合状态 | 第47-57页 |
| §2.4.1 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的微结构 | 第47-50页 |
| §2.4.2 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜表面元素组成及其键合状态 | 第50-57页 |
| §2.5 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜光学性能的影响 | 第57-61页 |
| §2.5.1 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜透射光谱的影响 | 第57页 |
| §2.5.2 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜折射率和消光系数的影响 | 第57-60页 |
| §2.5.3 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜光学禁带宽度的影响 | 第60-61页 |
| §2.6 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜电学性能的影响 | 第61-67页 |
| §2.6.1 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜介电性能的影响 | 第61-62页 |
| §2.6.2 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜铁电性能的影响 | 第62-63页 |
| §2.6.3 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜时域响应的影响 | 第63-64页 |
| §2.6.4 退火温度对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜导电机制的影响 | 第64-67页 |
| §2.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 第三章 Pt/Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3/Pt薄膜电容器的界面特性和介电性能研究 | 第68-80页 |
| §3.1 引言 | 第68-69页 |
| §3.2 射频磁控溅射法制备的Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜及其表征 | 第69-71页 |
| §3.2.1 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜的制备工艺 | 第69-70页 |
| §3.2.2 Ba_(0.65)Sr_(0.35)Ti0_3薄膜的表征 | 第70-71页 |
| §3.3 XPS深度剖析Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜 | 第71-76页 |
| §3.3.1 在不同Ar~+刻蚀时间下的Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜的XPS概谱图 | 第71-72页 |
| §3.3.2 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜的XPS深度剖析 | 第72-75页 |
| §3.3.3 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜/Pt能带图 | 第75-76页 |
| §3.4 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜电容器的介电响应 | 第76-77页 |
| §3.5 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜电容器的主要导电机制 | 第77-79页 |
| §3.6 本章小结 | 第79-80页 |
| 第四章 铈掺杂的BiFeO_3薄膜的微结构和多铁性能研究 | 第80-102页 |
| §4.1 引言 | 第80-81页 |
| §4.2 铈掺杂的BiFeO_3薄膜的表征 | 第81-82页 |
| §4.3 铈掺杂对BiFeO_3薄膜微结构的影响 | 第82-85页 |
| §4.3.1 铈掺杂的BiFeO_3薄膜的表面和截面形貌 | 第82-83页 |
| §4.3.2 铈掺杂对BiFeO_3薄膜晶相结构的影响 | 第83-84页 |
| §4.3.3 铈掺杂对BiFeO_3薄膜相结构、拉曼位移和声子寿命的影响 | 第84-85页 |
| §4.4 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜的XPS分析 | 第85-93页 |
| §4.4.1 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜表面的元素组成 | 第85-86页 |
| §4.4.2 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜表面相应元素的键合状态和化学位移 | 第86-91页 |
| §4.4.3 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜的XPS价带谱和BiFeO_3/Pt能带图 | 第91-93页 |
| §4.5 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜的电学性能研究 | 第93-97页 |
| §4.5.1 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜的介电性能研究 | 第93-94页 |
| §4.5.2 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜的铁电性能研究 | 第94-95页 |
| §4.5.3 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(x=0,0.2)薄膜的导电机制 | 第95-97页 |
| §4.6 Bi_(1-x)Ce_xFeO_3(0≤x≤0.25)薄膜的铁磁性能分析 | 第97-99页 |
| §4.7 本章小结 | 第99-102页 |
| 第五章 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜的微结构和室温铁磁性能的影响 | 第102-119页 |
| §5.1 引言 | 第102-103页 |
| §5.2 铜掺杂的Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜的制备及其表征 | 第103-105页 |
| §5.2.1 铜掺杂的Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜的PLD制备工艺 | 第103-105页 |
| §5.2.2 铜掺杂的Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜的表征 | 第105页 |
| §5.3 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜微结构的影响 | 第105-108页 |
| §5.3.1 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜晶相结构的影响 | 第105-106页 |
| §5.3.2 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜c轴晶格常数及其晶粒尺寸的影响 | 第106-107页 |
| §5.3.3 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜表面形貌的影响 | 第107-108页 |
| §5.4 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜表面元素组成、化学键合状态和化学位移的影响 | 第108-115页 |
| §5.4.1 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜表面元素组成的影响 | 第108-109页 |
| §5.4.2 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜相应元素的键合状态和化学位移的影响 | 第109-115页 |
| §5.5 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜室温铁磁性能的影响 | 第115-118页 |
| §5.5.1 铜掺杂的Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜的量子自旋参量 | 第115页 |
| §5.5.2 铜掺杂对Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜室温铁磁性能的影响 | 第115-117页 |
| §5.5.3 铜掺杂的Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜的室温铁磁性能来源及其增强机制 | 第117-118页 |
| §5.6 本章小结 | 第118-119页 |
| 第六章 全文总结和工作展望 | 第119-123页 |
| §6.1 本文主要的研究成果 | 第119-121页 |
| §6.2 工作展望 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-142页 |
| 攻读博士学位期间所发表的论文 | 第142-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
