| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 钛酸锶钡材料研究背景 | 第10-12页 |
| 1.1.1 钛酸锶钡材料概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 BST薄膜研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 BST薄膜结构与性能关系 | 第12-13页 |
| 1.3 BST薄膜的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.1 BST掺杂改性 | 第14-15页 |
| 1.3.2 用于生长BST薄膜的缓冲层 | 第15-16页 |
| 1.4 CeO_2 研究背景 | 第16-18页 |
| 1.4.1 CeO_2 高k性能 | 第16-17页 |
| 1.4.2 CeO_2 缓冲层研究 | 第17-18页 |
| 1.5 论文的研究内容及意义 | 第18-19页 |
| 第2章 外延CeO_2薄膜的制备与性能表征 | 第19-33页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第20-21页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第21页 |
| 2.2 实验过程 | 第21-22页 |
| 2.3 样品结构与性能表征 | 第22-23页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第23页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第23-25页 |
| 2.4.1 Si衬底的取向对CeO_2 薄膜结构的影响 | 第23-25页 |
| 2.5 外延CeO_2 薄膜性能分析 | 第25-31页 |
| 2.5.1 不同厚度CeO_2 薄膜样品的表面形貌 | 第26页 |
| 2.5.2 厚度对CeO_2 薄膜C-V特性的影响 | 第26-31页 |
| 2.5.3 厚度对CeO_2 薄膜I-V特性的影响 | 第31页 |
| 2.6 结论 | 第31-33页 |
| 第3章 Si基高度择优BST薄膜制备与性能 | 第33-39页 |
| 3.1 实验方法 | 第33页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 3.2.1 结构表征 | 第33-35页 |
| 3.2.2 电学性能测试分析 | 第35-37页 |
| 3.3 结论 | 第37-39页 |
| 第4章 含CeO_2缓冲层的硅基LSCO/BST/LSCO电容器性能表征 | 第39-46页 |
| 4.1 Pt/LSCO/BST/LSCO/CeO_2/Si异质结电容器的制备 | 第39-40页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第40-45页 |
| 4.3 结论 | 第45-46页 |
| 第5章 非晶Ni-Ti阻挡层对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的结构和物性的影响 | 第46-53页 |
| 5.1 Pt/BST/Pt和Pt/Ni-Ti/BST/Ni-Ti/Pt电容器的制备 | 第46-47页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第47-52页 |
| 5.2.1 BST/Pt和BST/Ni-Ti/Pt异质结结构表征 | 第47-48页 |
| 5.2.2 Pt/BST/Pt和Pt/Ni-Ti/BST/Ni-Ti/Pt电容器的铁电性能分析 | 第48页 |
| 5.2.3 Pt/BST/Pt和Pt/Ni-Ti/BST/Ni-Ti/Pt电容器的介电性能分析 | 第48-52页 |
| 5.3 结论 | 第52-53页 |
| 结语 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第62页 |
