| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-15页 |
| 1.1 阻变存储器简介 | 第5-6页 |
| 1.2 阻变现象分类 | 第6-7页 |
| 1.3 阻变机制 | 第7-12页 |
| 1.3.1 电学效应,电荷的注入或迁移 | 第7-8页 |
| 1.3.2 电化学金属化效应,离子迁移与电化学氧化还原反应 | 第8-9页 |
| 1.3.3 价态变化效应 | 第9页 |
| 1.3.4 热化学效应,焦耳热理论 | 第9-11页 |
| 1.3.5 其他文献中提到的阻变机制,界面主导的转移机制 | 第11-12页 |
| 1.4 阻变材料研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4.1 TiO_2型阻变存储器 | 第13页 |
| 1.4.2 NiO型阻变存储器 | 第13-14页 |
| 1.4.3 Cu_xO型阻变存储器 | 第14页 |
| 1.5 本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 样品的制备和测试 | 第15-22页 |
| 2.1 样品的制备 | 第15-20页 |
| 2.1.1 原子层淀积技术回顾 | 第15页 |
| 2.1.2 原子层淀积原理与技术特点 | 第15-17页 |
| 2.1.3 原子层淀积金属氧化物 | 第17-20页 |
| 2.2 样品的测试 | 第20-22页 |
| 2.2.1 薄膜表面分析 | 第20-21页 |
| 2.2.2 低温电学测试 | 第21-22页 |
| 第三章 基于NbAlO薄膜的阻变存储器低温电学特性研究 | 第22-30页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 实验样品的制备与测试 | 第22-24页 |
| 3.3 实验结果分析与讨论 | 第24-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 基于HfAlO薄膜的RRAM低温电学特性研究 | 第30-37页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 实验样品的制备与测试 | 第30-31页 |
| 4.3 实验结果分析与讨论 | 第31-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 论文总结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 硕士期间研宄成果发表情况 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
