| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题来源及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第11-15页 |
| 1.2.1 自适应波束形成技术的发展和应用 | 第12页 |
| 1.2.2 自适应波束形成技术的优化进程 | 第12-15页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 子阵级自适应波束形成模型 | 第17-24页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 旁瓣消隐系统原理 | 第17-19页 |
| 2.3 自适应波束形成原理 | 第19-23页 |
| 2.3.1 自适应波束形成结构 | 第19-21页 |
| 2.3.2 二维平面阵信号模型 | 第21-22页 |
| 2.3.3 自适应性能指标 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 基于 DSW 结构的主通道自适应波束形成方法 | 第24-36页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 子阵级直接加权(DSW)结构 | 第24-25页 |
| 3.3 基于 DSW 结构的常规主通道自适应波束形成方法 | 第25页 |
| 3.4 基于 DSW 结构的改进主通道自适应波束形成方法 | 第25-30页 |
| 3.4.1 归一化方法 | 第26-27页 |
| 3.4.2 最优失匹配检测方法 | 第27-28页 |
| 3.4.3 子空间投影方法 | 第28-29页 |
| 3.4.4 常规与最优失匹配检测结合方法 | 第29-30页 |
| 3.5 仿真结果及性能分析 | 第30-34页 |
| 3.5.1 仿真结果 | 第30-33页 |
| 3.5.2 性能分析 | 第33-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 基于 GSLC 结构的主通道自适应波束形成方法 | 第36-48页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 子阵级广义旁瓣对消(GSLC)结构 | 第36-37页 |
| 4.3 基于 GSLC 结构的常规主通道自适应波束形成方法 | 第37-39页 |
| 4.4 基于 GSLC 结构的改进主通道自适应波束形成方法 | 第39-42页 |
| 4.4.1 Householder 变换方法 | 第39-40页 |
| 4.4.2 分级加权方法 | 第40-42页 |
| 4.5 仿真结果及性能分析 | 第42-47页 |
| 4.5.1 仿真结果 | 第42-45页 |
| 4.5.2 性能分析 | 第45-47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 基于子阵输出的保护通道自适应波束形成方法 | 第48-55页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 子阵级保护通道结构 | 第48-49页 |
| 5.3 保护通道波束形成方法 | 第49-51页 |
| 5.3.1 保护通道静态波束形成方法 | 第49-50页 |
| 5.3.2 保护通道自适应波束形成方法 | 第50-51页 |
| 5.4 仿真结果及性能分析 | 第51-54页 |
| 5.4.1 仿真结果 | 第51-53页 |
| 5.4.2 性能分析 | 第53-54页 |
| 5.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
