| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-66页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 缺陷及其分类 | 第12-16页 |
| 1.2.1 点缺陷 | 第12-14页 |
| 1.2.2 线缺陷 | 第14-15页 |
| 1.2.3 面缺陷 | 第15-16页 |
| 1.2.4 体缺陷 | 第16页 |
| 1.2.5 缺陷概念的扩展——拓扑缺陷 | 第16页 |
| 1.3 一维ZnO和二维层状材料概述 | 第16-26页 |
| 1.3.1 纳米材料概述 | 第16-17页 |
| 1.3.2 一维ZnO纳米材料 | 第17-19页 |
| 1.3.3 二维层状材料 | 第19-26页 |
| 1.4 结构缺陷对一维ZnO和二维层状材料光电性能的影响 | 第26-42页 |
| 1.4.1 结构缺陷对一维ZnO纳米材料光电性能的影响 | 第27-34页 |
| 1.4.2 结构缺陷对二维层状材料光电性能的影响 | 第34-42页 |
| 1.5 本论文的研究内容与意义 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-66页 |
| 第2章 ALD包裹及退火对ZnO纳米棒发光特性的影响 | 第66-90页 |
| 2.1 研究背景 | 第66-69页 |
| 2.2 实验部分 | 第69-71页 |
| 2.2.1 样品制备 | 第69-70页 |
| 2.2.2 样品表征手段 | 第70-71页 |
| 2.3 ALD包裹和退火对ZnO纳米棒发光特性的调控 | 第71-85页 |
| 2.3.1 ZnO纳米棒的形貌与结构 | 第71-75页 |
| 2.3.2 ZnO纳米棒的PL表征 | 第75-80页 |
| 2.3.3 ZnO纳米棒发光调控的机理分析 | 第80-85页 |
| 2.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第3章 多壁MoS_2纳米管的手性、应力和光学偏振行为 | 第90-132页 |
| 3.1 研究背景 | 第90-92页 |
| 3.2 实验部分 | 第92-93页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第92-93页 |
| 3.2.2 样品表征手段 | 第93页 |
| 3.3 MoS_2纳米管的形貌和结构 | 第93-99页 |
| 3.3.1 MoS_2纳米管的形貌 | 第93-95页 |
| 3.3.2 MoS_2纳米管的结构和成分 | 第95-99页 |
| 3.4 MoS_2纳米管的手性与应力确认 | 第99-107页 |
| 3.4.1 MoS_2纳米管的手性确认 | 第99-104页 |
| 3.4.2 MoS_2纳米管中应力的确认 | 第104-107页 |
| 3.5 MoS_2纳米管的光学特性 | 第107-113页 |
| 3.5.1 MoS_2纳米管的拉曼光谱 | 第107-109页 |
| 3.5.2 MoS_2纳米管的光致发光特性 | 第109-110页 |
| 3.5.3 MoS_2米管的偏振PL特性 | 第110-113页 |
| 3.6 MoS_2纳米管中的手性与应力对其光学性能的调制作用 | 第113-125页 |
| 3.6.1 手性和应力对MoS_2纳米管拉曼光谱的影响 | 第113-117页 |
| 3.6.2 手性和应力对MoS_2纳米管PL光谱的调制作用 | 第117-121页 |
| 3.6.3 手性和应力对MoS_2纳米管PL偏振特性的影响 | 第121-125页 |
| 3.7 本章小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-132页 |
| 第4章 层状和螺旋状Bi_2Se_3纳米片的电学特性研究 | 第132-158页 |
| 4.1 研究背景 | 第132-134页 |
| 4.2 实验部分 | 第134-136页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第134-135页 |
| 4.2.2 样品表征手段 | 第135-136页 |
| 4.3 层状和螺旋状Bi_2Se_3纳米片的形貌表征结果 | 第136-138页 |
| 4.4 层状和螺旋状Bi_2Se_3纳米片的电学特性 | 第138-153页 |
| 4.4.1 Bi_2Se_3纳米片的基本电学特性 | 第138-148页 |
| 4.4.2 Bi_2Se_3纳米片的导电原子力显微镜表征 | 第148-152页 |
| 4.4.3 Bi_2Se_3纳米片的稳定性 | 第152-153页 |
| 4.5 本章小结 | 第153-154页 |
| 参考文献 | 第154-158页 |
| 第5章 展望 | 第158-160页 |
| 攻读博士期间发表论文情况 | 第160-164页 |
| 致谢 | 第164-165页 |
