| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 纳米材料简介 | 第13-16页 |
| 1.1.1 纳米材料的定义和简介 | 第13页 |
| 1.1.2 纳米材料的分类 | 第13-14页 |
| 1.1.3 纳米材料的性质 | 第14-15页 |
| 1.1.4 纳米材料的应用 | 第15-16页 |
| 1.2 Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料概述 | 第16-19页 |
| 1.2.1 III族氮化物纳米材料概述 | 第16页 |
| 1.2.2 Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料 | 第16-17页 |
| 1.2.3 Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料结构与性质 | 第17-18页 |
| 1.2.4 Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料研究进展 | 第18-19页 |
| 1.3 本文的主要内容和创新点 | 第19-21页 |
| 1.3.1 主要内容 | 第19-20页 |
| 1.3.2 创新点 | 第20-21页 |
| 第2章 实验设备和测试方法 | 第21-29页 |
| 2.1 实验设备 | 第21-24页 |
| 2.1.1 化学气相沉积（CVD）系统 | 第21-22页 |
| 2.1.2 等离子体多源传输沉积系统和磁控溅射系统 | 第22-24页 |
| 2.2 实验原理 | 第24-25页 |
| 2.2.1 CVD系统实验原理 | 第24页 |
| 2.2.2 等离子体多源传输沉积系统实验原理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 磁控溅射系统实验原理 | 第25页 |
| 2.3 实验原料 | 第25页 |
| 2.3.1 CVD系统实验原料 | 第25页 |
| 2.3.2 等离子体多源传输沉积系统实验原料 | 第25页 |
| 2.3.3 磁控溅射系统实验原料 | 第25页 |
| 2.4 实验步骤 | 第25-27页 |
| 2.4.1 CVD系统实验步骤 | 第25-26页 |
| 2.4.2 等离子体多源传输沉积系统实验步骤 | 第26页 |
| 2.4.3 磁控溅射系统实验步骤 | 第26-27页 |
| 2.5 测试方法 | 第27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 常压下以金属Al和Ga为原料制备Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料 | 第29-44页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 实验方法 | 第30-31页 |
| 3.3 Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料的制备及其光学性能分析 | 第31-43页 |
| 3.3.1 衬底距源材料距离对Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料组分影响及光学性能分析 | 第31-37页 |
| 3.3.2 生长温度对Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料组分影响及光学性能分析 | 第37-39页 |
| 3.3.3 气体流量比对Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料组分影响及光学性能分析 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 常压下以AlCl_3·6H_2O和金属Ga为原料制备Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料 | 第44-60页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 前期探索 | 第44-50页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第44-46页 |
| 4.2.2 测试分析 | 第46-49页 |
| 4.2.3 结果分析 | 第49-50页 |
| 4.3 Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料的制备及其光学性能分析 | 第50-58页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第50-53页 |
| 4.3.2 测试分析 | 第53-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 其他方法制备Al_xGa_(1-x)N三元合金纳米材料 | 第60-68页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 低气压下以金属Al和Ga为原料制备Al_xGa_(1-x)N三元合金 | 第60-64页 |
| 5.2.1 实验部分 | 第60-61页 |
| 5.2.2 测试部分 | 第61-64页 |
| 5.2.3 结论分析 | 第64页 |
| 5.3 磁控溅射法制备Al_xGa_(1-x)N三元合金 | 第64-67页 |
| 5.3.1 实验部分 | 第65页 |
| 5.3.2 测试部分 | 第65-66页 |
| 5.3.3 结论分析 | 第66-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
