| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1. 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第8-9页 |
| 1.1.1 MRAM自旋电子器件应用要求 | 第8-9页 |
| 1.2 Heusler合金材料 | 第9-12页 |
| 1.2.1 半金属(half-metal)材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 Co基Full Heusler合金材料 | 第10-12页 |
| 1.3 垂直磁各向异性 | 第12-14页 |
| 1.3.1 垂直磁各向异性概述 | 第12-13页 |
| 1.3.2 垂直磁各向异性的国内外研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 目前垂直磁各向异性研究存在的问题 | 第14页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 实验方案及实验条件 | 第16-22页 |
| 2.1 薄膜制备及热处理 | 第16-18页 |
| 2.1.1 薄膜样品的制备方法及设备简介 | 第16-17页 |
| 2.1.2 薄膜样品的制备过程 | 第17-18页 |
| 2.1.3 薄膜样品的热处理 | 第18页 |
| 2.2 薄膜结构表征及性能测试 | 第18-22页 |
| 2.2.1 X-ray衍射仪(XRD)-磁性层物相结构表征 | 第19页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM)-缓冲层表面形貌表征 | 第19页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM)-样品界面结构表征 | 第19页 |
| 2.2.4 X-ray光电子能谱(XPS)-薄膜界面元素化学态表征 | 第19页 |
| 2.2.5 振动样品磁强计(VSM)-薄膜磁性测量 | 第19-22页 |
| 3 Pd/Co_2FeAl_(0.5)Si_(0.5)/MgO薄膜的微结构和垂直磁各向异性 | 第22-36页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第22-35页 |
| 3.2.1 Co基Heusler合金Co_2FeAl_(0.5)Si_(0.5)的结构演变 | 第22-24页 |
| 3.2.2 Pd/CFAS/MgO薄膜的垂直磁各向异性 | 第24-27页 |
| 3.2.3 界面诱导Pd/CFAS/MgO薄膜垂直磁各向异性的机理分析 | 第27-35页 |
| 3.4 小结 | 第35-36页 |
| 4 Pd/Co_2MnSi/MgO薄膜的增强垂直磁各向异性 | 第36-48页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第36-46页 |
| 4.2.1 Co基Heusler合金Co_2MnSi的结构演变 | 第36-37页 |
| 4.2.2 Pd/CMS/MgO薄膜的垂直磁各向异性 | 第37-43页 |
| 4.2.3 Pd/CMS/MgO薄膜垂直磁各向异性的来源及机理分析 | 第43-46页 |
| 4.3 小结 | 第46-48页 |
| 5 结论 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |
