| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 NiO的性质及应用 | 第12-17页 |
| 1.2.1 NiO的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 NiO的晶体结构 | 第13页 |
| 1.2.3 NiO的电子结构 | 第13-15页 |
| 1.2.4 NiO薄膜的应用 | 第15-17页 |
| 1.3 p型透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 p型NiO透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第22-33页 |
| 2.1 脉冲激光沉积 | 第22-24页 |
| 2.2 磁控溅射 | 第24-25页 |
| 2.3 金属有机物化学气相沉积法 | 第25-26页 |
| 2.4 电子束蒸发淀积 | 第26-28页 |
| 2.5 薄膜性能测试及表征 | 第28-31页 |
| 2.5.1 薄膜厚度测试 | 第28页 |
| 2.5.2 薄膜微结构分析测试 | 第28-30页 |
| 2.5.3 薄膜光学性能测试 | 第30页 |
| 2.5.4 薄膜电学性能测试 | 第30-31页 |
| 2.5.5 二极管电学性能测试 | 第31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 氧化镍薄膜的制备 | 第33-50页 |
| 3.1 Ni薄膜的制备 | 第33-36页 |
| 3.2 Ni薄膜的UV氧化 | 第36-38页 |
| 3.3 氧化时间对NiO薄膜特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 紫外线光源对NiO薄膜特性的影响 | 第40-43页 |
| 3.5 退火条件对NiO薄膜特性的影响 | 第43-47页 |
| 3.5.1 退火对薄膜光学透明性的影响 | 第43-45页 |
| 3.5.2 退火对薄膜拉曼光谱的影响 | 第45-47页 |
| 3.6 Li掺杂对NiO薄膜特性的影响 | 第47-49页 |
| 3.6.1 Li掺杂对薄膜光学透明性的影响 | 第47-48页 |
| 3.6.2 Li掺杂对薄膜相结构的影响 | 第48-49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 NiO/Si异质结器件的制备与研究 | 第50-61页 |
| 4.1 NiO/Si异质结器件结构 | 第50-51页 |
| 4.2 NiO/Si异质结器件制备 | 第51-52页 |
| 4.3 NiO/Si异质结器件的欧姆接触特性 | 第52-53页 |
| 4.4 四探针法测试 | 第53-54页 |
| 4.5 NiO/Si异质结器件的I-V特性 | 第54-58页 |
| 4.5.1 NiO/Si二极管A组I-V特性 | 第54-55页 |
| 4.5.2 NiO/Si二极管B组I-V特性 | 第55-56页 |
| 4.5.3 可见光对NiO/Si二极管I-V特性的影响 | 第56-58页 |
| 4.6 NiO/Si异质结器件的C-V特性 | 第58-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |