| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 晶体硅太阳电池发展背景 | 第7-10页 |
| 1.2 晶体硅太阳电池发射极技术 | 第10-15页 |
| 1.2.1 扩散的基本原理 | 第10-13页 |
| 1.2.2 现有晶体硅太阳电池扩散制备发射极技术分析 | 第13-15页 |
| 1.3 本课题研究目的与内容 | 第15-16页 |
| 第2章 气相沉积非晶体硅基固态扩散源材料与工艺 | 第16-48页 |
| 2.1 引言 | 第16-18页 |
| 2.2 实验过程与方法 | 第18-28页 |
| 2.2.1 实验材料与式样 | 第18-19页 |
| 2.2.2 p-n结制备原理与工艺 | 第19-20页 |
| 2.2.3 衬底样品表面准备 | 第20-21页 |
| 2.2.4 HWCVD沉积固态扩散源（α-Si:H薄膜） | 第21-23页 |
| 2.2.5 固态源扩散 | 第23-24页 |
| 2.2.6 扩散后的检测及表征方法 | 第24-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-46页 |
| 2.3.1 α-Si:H薄膜扩散源沉积工艺及其对发射极层性能影响 | 第28-33页 |
| 2.3.2 非晶氧化硅薄膜沉积生长工艺及其对最终发射极性能的影响 | 第33-46页 |
| 2.4 小结 | 第46-48页 |
| 第3章 基于气相沉积非晶硅基薄膜扩散源的扩散制结工艺研究 | 第48-60页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 实验过程与方法 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-59页 |
| 3.3.1 预处理去氢 | 第49-52页 |
| 3.3.2 掺磷n型发射极的扩散制备 | 第52-57页 |
| 3.3.3 掺硼p型发射极高温扩散工艺 | 第57-59页 |
| 3.4 小结 | 第59-60页 |
| 第4章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 4.1 结论 | 第60-61页 |
| 4.2 未来发展展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第66页 |
