| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 磁随机存储器MRAM | 第9-13页 |
| 1.3 磁畴壁研究进展 | 第13-17页 |
| 1.4 本文研究内容与结构 | 第17-18页 |
| 2 微磁模拟 | 第18-22页 |
| 2.1 微磁学理论 | 第18-19页 |
| 2.2 LLG（Landau-Lifshitz-Gilbert）方程 | 第19-21页 |
| 2.3 Magoasis微磁模拟软件 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 多通道自由层STT-MRAM存储单元结构的设计 | 第22-39页 |
| 3.1 多通道自由层STT-MRAM存储单元结构模型 | 第22-26页 |
| 3.2 多通道STT-MRAM单元结构磁化翻转特性的计算与分析 | 第26-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 4 电流驱动磁畴壁移动的微磁学模拟 | 第39-48页 |
| 4.1 电流驱动磁畴壁移动单元结构设计 | 第39-47页 |
| 4.2 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 总结与展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 附录1攻读硕士学位期间发表论文或专利 | 第56页 |