| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 ZnO基本物理性质 | 第9-11页 |
| 1.3 ZnO发光二极管研究现状 | 第11-16页 |
| 1.4 本工作的研究目的、意义 | 第16-17页 |
| 2 Sb掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第17-22页 |
| 2.1 化学气相沉积法简介 | 第17-19页 |
| 2.2 Sb掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第19-20页 |
| 2.3 Sb掺杂ZnO纳米线阵列的生长机制 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 Sb掺杂ZnO纳米线阵列发光二极管研究 | 第22-41页 |
| 3.1 Sb掺杂ZnO纳米线阵列表征 | 第22-32页 |
| 3.2 Sb掺杂ZnO纳米线阵列LED器件研究 | 第32-37页 |
| 3.3 Sb掺杂ZnO纳米线阵列LED器件全界面复合机理分析 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 总结与展望 | 第41-43页 |
| 4.1 全文总结 | 第41页 |
| 4.2 展望 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-51页 |
| 附录I 本文所涉及的材料表征和性能测试设备介绍 | 第51-55页 |
| 附录II 攻读学位期间发表论文目录 | 第55页 |