| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 红外技术的应用 | 第9-10页 |
| 1.2 红外探测器的发展和种类 | 第10-13页 |
| 1.2.1 红外探测器发展历程 | 第10-12页 |
| 1.2.2 红外探测器的种类 | 第12-13页 |
| 1.3 InP/InGaAs短波红外探测器 | 第13-15页 |
| 1.3.1 InP/InGaAs短波红外探测器国内研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 InP/InGaAs短波红外探测器国外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 InP/InGaAs短波红外探测器现存问题 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第2章 InP/InGaAs APD器件基本理论 | 第17-29页 |
| 2.1 p-i-n型InP/In GaAs短波红外探测器 | 第17-19页 |
| 2.2 APD型InP/InGaAs短波红外探测器 | 第19-23页 |
| 2.3 SAGCM结构APD型探测器 | 第23-26页 |
| 2.3.1 雪崩特性 | 第23-24页 |
| 2.3.2 过剩噪声 | 第24-25页 |
| 2.3.3 暗电流 | 第25-26页 |
| 2.4 具有超晶格结构的电子倍增型APD结构的讨论 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 InP/InGaAs APD器件结构设计 | 第29-35页 |
| 3.1 InP/InGaAs APD器件设计 | 第29-33页 |
| 3.1.1 SAGCM-APD结构 | 第29-31页 |
| 3.1.2 具有超晶格结构的电子倍增型APD结构 | 第31-33页 |
| 3.2 实际生长结果测试 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 雪崩倍增二极管工艺优化 | 第35-51页 |
| 4.1 工艺流程—台面工艺 | 第35-38页 |
| 4.1.1 台面工艺工艺流程 | 第35-37页 |
| 4.1.2 台面工艺现存问题 | 第37-38页 |
| 4.2 平面工艺—质子注入 | 第38-41页 |
| 4.2.1 质子注入理论模拟 | 第38-39页 |
| 4.2.2 平面工艺流程设计 | 第39-41页 |
| 4.3 光刻掩膜版版图优化设计 | 第41-42页 |
| 4.3.1 光刻板图设计思路 | 第41-42页 |
| 4.3.2 版图设计注意事项 | 第42页 |
| 4.4 退火工艺优化 | 第42-44页 |
| 4.5 金属掩膜层优化 | 第44-46页 |
| 4.5.1 剥离过程粘附现象 | 第45-46页 |
| 4.5.2 刻蚀完成后脱落现象 | 第46页 |
| 4.6 刻蚀条件优化 | 第46-49页 |
| 4.6.1 湿法腐蚀 | 第47页 |
| 4.6.2 ICP刻蚀条件优化 | 第47-48页 |
| 4.6.3 RIE刻蚀 | 第48-49页 |
| 4.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 器件性能测试 | 第51-57页 |
| 5.1 封装工艺优化 | 第51-52页 |
| 5.2 暗电流测试 | 第52-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
