| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 团簇的简单介绍 | 第11页 |
| 1.2 量子限制效应 | 第11-12页 |
| 1.3 碳、硅、锗纳米团簇以及硅锗合金团簇的基本介绍 | 第12-13页 |
| 1.4 碳、硅、锗纳米晶体材料的研究意义 | 第13-14页 |
| 1.5 碳、硅、锗纳米晶体材料以及硅锗合金纳米晶体材料的研究现状 | 第14-19页 |
| 1.6 本论文的研究内容以及研究方法 | 第19-20页 |
| 1.7 本章小结 | 第20-22页 |
| 第二章 计算方法 | 第22-32页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 第一性原理计算 | 第23-28页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第23-25页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第25页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| 2.2.4 交换关联能 | 第26-28页 |
| 2.3 计算参数测试 | 第28-29页 |
| 2.4 Wang-Landau算法 | 第29-31页 |
| 2.5 第一性原理计算模拟软件VASP | 第31-32页 |
| 第三章 温度对X_(22)H_(28)(X=C,Si,Ge)纳米晶体结构稳定性和电子性质的影响 | 第32-41页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 计算方法 | 第33页 |
| 3.3 温度对结构稳定效应的影响 | 第33-36页 |
| 3.4 温度对体系能隙的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 温度对电荷分布的影响 | 第37-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 SiGe纳米晶体的结构稳定性和电子性质的研究 | 第41-58页 |
| 4.1 引言 | 第41-43页 |
| 4.2 计算方法以及参数设置 | 第43页 |
| 4.3 Si_xGe_(n-x)H_y(n=10,14,18,22)结构稳定性的研究 | 第43-54页 |
| 4.3.1 Si_xGe_(n-x)H_y结构产生以及键能模型的介绍 | 第43-46页 |
| 4.3.2 第一性原理计算和键能模型结果 | 第46-54页 |
| 4.4 Si_xGe_(n-x)H_(n+6)电子性质的研究 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第72页 |
