| 本论文创新点 | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 绪论 | 第14-16页 |
| 第一章 ZnO结构及性质 | 第16-27页 |
| 1.1 ZnO的晶体结构 | 第16-18页 |
| 1.2 ZnO的晶格参数 | 第18-19页 |
| 1.3 电子能带结构 | 第19-20页 |
| 1.4 ZnO的热特性 | 第20-22页 |
| 1.4.1 ZnO的热膨胀系数 | 第20-21页 |
| 1.4.2 ZnO的热传导性 | 第21-22页 |
| 1.5 未掺杂ZnO的电学性质 | 第22-24页 |
| 1.5.1 低电场传输 | 第22-23页 |
| 1.5.2 高电场传输 | 第23-24页 |
| 1.6 ZnO中的固有缺陷 | 第24-27页 |
| 1.6.1 间隙锌 | 第24页 |
| 1.6.2 氧空位 | 第24-25页 |
| 1.6.3 锌空位 | 第25-26页 |
| 1.6.4 辐射损伤缺陷 | 第26-27页 |
| 第二章 ZnO的应用-场发射显示器(FED) | 第27-44页 |
| 2.1 近期显示器需求量预测 | 第27页 |
| 2.2 显示器应用市场份额 | 第27-28页 |
| 2.3 不同种类显示器的优缺点 | 第28-29页 |
| 2.4 显示器厂商分布 | 第29-31页 |
| 2.5 场发射显示器的重要性 | 第31-32页 |
| 2.6 FED的基本结构和原理 | 第32-36页 |
| 2.7 FED的决定因素 | 第36-42页 |
| 2.7.1 发射体的种类 | 第37-39页 |
| 2.7.2 荧光粉的技术 | 第39-41页 |
| 2.7.3 真空封装技术与工艺 | 第41-42页 |
| 2.8 FED发射体的几何结构 | 第42-43页 |
| 2.9 FED发射体的掺杂 | 第43-44页 |
| 第三章 ZnO纳米棒(NRs)的增强场发射特性 | 第44-62页 |
| 3.1 研究背景 | 第44-46页 |
| 3.2 实验步骤 | 第46-47页 |
| 3.3 实验结果 | 第47-61页 |
| 3.3.1 水热法制备的ZnO NRs的尺寸与形状 | 第47-49页 |
| 3.3.2 种子层数对ZnO NRs的密度和尺寸的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.3 Si/FLG基底上的ZnO的结构和场发射特性 | 第51-57页 |
| 3.3.4 高分子聚合物基底上的ZnO NRs的结构和场发射特性 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 水热法制备掺杂ZnO纳米棒 | 第62-79页 |
| 4.1 水热扩散法制备氮掺杂ZnO纳米棒 | 第62-70页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第62-63页 |
| 4.1.2 实验过程 | 第63页 |
| 4.1.3 结果与讨论 | 第63-69页 |
| 4.1.4 小结 | 第69-70页 |
| 4.2 Graphene/Ni/Si基底上生长Al掺杂ZnO的光学和电学性质 | 第70-79页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第70-71页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第71-72页 |
| 4.2.3. 结果和讨论 | 第72-78页 |
| 4.2.4 结论 | 第78-79页 |
| 第五章 类金刚石碳膜(DLC)的结构及性质 | 第79-99页 |
| 5.1 研究背景 | 第79-80页 |
| 5.2 实验过程 | 第80-82页 |
| 5.2.1 沉积系统介绍 | 第80-81页 |
| 5.2.2 涂层沉积 | 第81页 |
| 5.2.3 膜层的表征 | 第81-82页 |
| 5.3 工艺参数的影响 | 第82-98页 |
| 5.3.1 变乙炔流量制备的Mo-DLC薄膜 | 第82-94页 |
| 5.3.2 变转速制备Mo-DLC薄膜 | 第94-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 全文总结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 博士期间发表的论文和所获的专利 | 第114-116页 |
| 论文 | 第114-115页 |
| 专利 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
