| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 二维材料 | 第10-11页 |
| 1.2 MoS_2概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 MoS_2的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MoS_2的电学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 MoS_2二维材料的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.3 MoS_2二维材料的阻变效应 | 第14-20页 |
| 1.3.1 阻变存储器简介 | 第14-18页 |
| 1.3.2 MoS_2纳米片阻变效应的相关研究 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第2章 基本实验方法及原理 | 第22-31页 |
| 2.1 材料表征方法及原理 | 第22-24页 |
| 2.1.1 X射线衍射 | 第22页 |
| 2.1.2 X射线光电子能谱 | 第22-23页 |
| 2.1.3 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.1.4 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.1.5 Raman光谱 | 第24页 |
| 2.2 电学性能测试 | 第24-25页 |
| 2.3 阻变存储器电阻转变参数分布的统计模型 | 第25-31页 |
| 2.3.1 导电细丝电导的量子化及量子点接触模型 | 第25-27页 |
| 2.3.2 电阻转变的渗流模型 | 第27-31页 |
| 第3章 2H相MoS_2纳米片器件的电阻转变现象及机制 | 第31-50页 |
| 3.1 实验方法 | 第31页 |
| 3.1.1 MoS_2纳米片的制备 | 第31页 |
| 3.1.2 Al/MoS_2/ITO器件的制备 | 第31页 |
| 3.2 MoS_2纳米片的表征 | 第31-34页 |
| 3.3 Al/2H-MoS_2纳米片/ITO器件的电阻转变现象 | 第34-36页 |
| 3.4 电极对2H-MoS_2纳米片阻变存储器的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 2H相MoS_2纳米片阻变存储器RESET参数分布的统计研究 | 第37-41页 |
| 3.5.1 RESET过程中电导分布的统计分析 | 第38-39页 |
| 3.5.2 RESET电压和电流分布的统计分析 | 第39-41页 |
| 3.6 2H-MoS_2纳米片RRAM的XPS深度剖析 | 第41-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 混入氧化石墨烯对2H-MoS_2纳米片RRAM性能的影响 | 第50-60页 |
| 4.1 实验方法 | 第50-51页 |
| 4.1.1 氧化石墨烯水分散液的制备 | 第50-51页 |
| 4.1.2 MoS_2纳米片水分散液的制备 | 第51页 |
| 4.1.3 Al/MoS_2-GO/ITO器件的制备 | 第51页 |
| 4.2 氧化石墨烯的表征 | 第51-53页 |
| 4.3 Al/GO/ITO器件的阻变效应 | 第53-55页 |
| 4.4 Al/MoS_2-GO/ITO器件的阻变效应 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 附录：化学气相沉积法制备单分子层MoS_2薄膜的电学性质研究 | 第71-78页 |
| 在读期间研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
