| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 半导体材料简介 | 第7-9页 |
| 1.2 GaN材料的性质和应用 | 第9-11页 |
| 1.3 本论文的选题思路 | 第11-13页 |
| 2 一维GaN微/纳米结构的制备及表征 | 第13-28页 |
| 2.1 衬底选择 | 第13-14页 |
| 2.2 生长机制 | 第14-17页 |
| 2.2.1 VLS生长机制 | 第14-16页 |
| 2.2.2 VS生长机制 | 第16-17页 |
| 2.3 制备方法 | 第17-23页 |
| 2.3.1 金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第17-19页 |
| 2.3.2 分子束外延（MBE） | 第19-21页 |
| 2.3.3 卤化物气相外延（HVPE） | 第21-22页 |
| 2.3.4 化学束外延 | 第22-23页 |
| 2.4 表征手段 | 第23-27页 |
| 2.4.1 SEM | 第23-24页 |
| 2.4.2 TEM | 第24-25页 |
| 2.4.3 XRD | 第25-26页 |
| 2.4.4 PL谱 | 第26-27页 |
| 2.5 反应原理 | 第27-28页 |
| 3 实验仪器设备及工艺流程 | 第28-33页 |
| 3.1 磁控溅射仪 | 第28-29页 |
| 3.2 MOCVD系统简介 | 第29-31页 |
| 3.3 工艺流程 | 第31-33页 |
| 4 不同的一维GaN微/纳米结构的合成 | 第33-55页 |
| 4.1 GaN纳米线 | 第33-42页 |
| 4.1.1 GaN纳米线的制备 | 第33-34页 |
| 4.1.2 Ni和Ni/Au催化剂的比较 | 第34-35页 |
| 4.1.3 气压对GaN纳米线形貌的影响 | 第35-38页 |
| 4.1.4 催化剂厚度对GaN纳米线形貌的影响 | 第38-39页 |
| 4.1.5 温度对GaN纳米线形貌的影响 | 第39-40页 |
| 4.1.6 氨气流量对GaN纳米线形貌的影响 | 第40-42页 |
| 4.1.7 两步法对GaN纳米线形貌的影响 | 第42页 |
| 4.2 GaN纳米锥 | 第42-43页 |
| 4.3 GaN微米线 | 第43-51页 |
| 4.3.1 图案化的GaN微米线阵列 | 第45-46页 |
| 4.3.2 GaN微米线的成核过程 | 第46-47页 |
| 4.3.3 温度对GaN微米线阵列的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.4 气压对GaN微米线阵列的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 在同一衬底上制备出不同形貌的一维GaN微/纳米结构 | 第51-52页 |
| 4.5 外部生长有InN量子点的GaN纳米线 | 第52-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |