| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体存储器 | 第11-13页 |
| 1.2.1 半导体存储器的发展现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 半导体存储器面临的局限 | 第12-13页 |
| 1.3 新型非易失性存储器 | 第13-16页 |
| 1.3.1 铁电存储器 | 第13-14页 |
| 1.3.2 相变存储器 | 第14页 |
| 1.3.3 磁阻存储器 | 第14-15页 |
| 1.3.4 阻变存储器 | 第15-16页 |
| 1.4 非易失性阻变存储器 | 第16-27页 |
| 1.4.1 阻变现象 | 第16-17页 |
| 1.4.2 阻变机理 | 第17-22页 |
| 1.4.3 阻变材料 | 第22-23页 |
| 1.4.4 器件参数 | 第23-27页 |
| 1.5 ZnO的结构、性质以及在阻变存储器中的应用 | 第27-28页 |
| 1.5.1 ZnO的结构、性质 | 第27-28页 |
| 1.5.2 ZnO在阻变存储器中的应用 | 第28页 |
| 1.6 本文的选题依据和研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 基于ZnO纳米材料的阻变存储器制备和表征 | 第30-37页 |
| 2.1 实验材料和仪器设备 | 第30页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第30页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第30页 |
| 2.2 基于ZnO纳米材料的阻变存储器制备 | 第30-32页 |
| 2.2.1 基于ZnO纳米线的阻变存储器制备 | 第30-31页 |
| 2.2.2 基于ZnO纳米薄膜的阻变存储器制备 | 第31-32页 |
| 2.3 表征分析 | 第32-36页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第32-34页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 | 第34页 |
| 2.3.3 光致荧光 | 第34-35页 |
| 2.3.4 X射线衍射 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 基于ZnO纳米材料阻变存储器的电学特性测试和分析 | 第37-50页 |
| 3.1 基于ZnO纳米线阻变存储器的电学特性测试和分析 | 第37-42页 |
| 3.1.1 测试过程和结果 | 第37-38页 |
| 3.1.2 测试结果分析 | 第38-42页 |
| 3.2 基于ZnO纳米薄膜阻变存储器的电学特性测试和分析 | 第42-49页 |
| 3.2.1 测试过程和结果 | 第42-44页 |
| 3.2.2 测试结果分析 | 第44-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
