| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文研究内容及意义 | 第14-16页 |
| 1.4.1 本论文研究内容 | 第14页 |
| 1.4.2 本论文研究意义 | 第14-16页 |
| 2 FeCrAl材料的制备与表征 | 第16-26页 |
| 2.1 实验设备 | 第16-17页 |
| 2.1.1 磁控溅射基本原理 | 第16-17页 |
| 2.1.2 磁控溅射系统简介 | 第17页 |
| 2.2 FeCrAl材料的制备过程 | 第17-19页 |
| 2.2.1 FeCrAl合金丝表面处理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 FeCrAl薄膜的制备 | 第18-19页 |
| 2.3 材料表征手段 | 第19-23页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| 2.3.2 能谱仪(EDS) | 第20页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第20-21页 |
| 2.3.4 X射线衍射仪(XRD) | 第21-22页 |
| 2.3.5 霍尔测量仪(Hall) | 第22页 |
| 2.3.6 振动样品磁强计(VSM) | 第22-23页 |
| 2.4 FeCrAl样品太赫兹频谱测试 | 第23-26页 |
| 3 FeCrAl合金丝样品制备及太赫兹宽谱测试 | 第26-37页 |
| 3.1 FeCrAl合金丝样品处理 | 第26页 |
| 3.2 样品表征 | 第26-31页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第26-27页 |
| 3.2.2 能谱仪(EDS)表征 | 第27-29页 |
| 3.2.3 X射线光电子能谱(XPS)表征 | 第29-31页 |
| 3.3 FeCrAl合金丝样品太赫兹宽谱测试 | 第31-35页 |
| 3.3.1 样品表面粗糙度对太赫兹光谱辐射的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 样品表面氧化物碳化物对太赫兹光谱辐射影响 | 第32-34页 |
| 3.3.3 仪器分辨率对测试样品太赫兹光谱辐射影响 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 4 Si(111)基底FeCrAl薄膜制备及太赫兹宽谱测试 | 第37-53页 |
| 4.1 Si基片的处理 | 第37页 |
| 4.2 FeCrAl薄膜生长参数控制 | 第37页 |
| 4.3 Si基底FeCrAl薄膜表征 | 第37-47页 |
| 4.3.1 扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第37-39页 |
| 4.3.2 X射线衍射(XRD)表征 | 第39-40页 |
| 4.3.3 能谱仪(EDS)表征 | 第40-41页 |
| 4.3.4 Si基底FeCrAl薄膜应力问题分析 | 第41-44页 |
| 4.3.5 振动样品磁强计(VSM)表征. | 第44-46页 |
| 4.3.6 霍尔测量仪(Hall)表征 | 第46-47页 |
| 4.4 Si基底FeCrAl薄膜太赫兹宽谱测试 | 第47-51页 |
| 4.4.1 不同功率条件下FeCrAl薄膜太赫兹光谱特性 | 第47-50页 |
| 4.4.2 不同电流强度对太赫兹光谱的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 MgO(100)基底FeCrAl薄膜制备及太赫兹宽谱测试 | 第53-62页 |
| 5.1 MgO基片的处理 | 第53页 |
| 5.2 FeCrAl薄膜厚度的控制 | 第53页 |
| 5.3 MgO基底FeCrAl薄膜样品表征 | 第53-57页 |
| 5.3.1 扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第53-54页 |
| 5.3.2 X射线衍射(XRD)表征 | 第54-55页 |
| 5.3.3 能谱仪(EDS)表征 | 第55-56页 |
| 5.3.4 振动样品磁强计(VSM)表征 | 第56-57页 |
| 5.3.5 霍尔测量仪(Hall)表征 | 第57页 |
| 5.4 MgO基底FeCrAl薄膜太赫兹宽谱测试 | 第57-60页 |
| 5.4.1 不同厚度FeCrAl薄膜对太赫兹光谱影响 | 第57-59页 |
| 5.4.2 不同衬底对太赫兹光谱影响 | 第59-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第74页 |
