摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章绪论 | 第9-26页 |
1.1 课题研究的背景和意义 | 第9-11页 |
1.2 图形化蓝宝石衬底在LED中的作用机理 | 第11-13页 |
1.2.1 图形化蓝宝石衬底对LED光提取效率的影响 | 第11页 |
1.2.2 图形化蓝宝石衬底对GaN外延层晶体质量的影响 | 第11-13页 |
1.3 图形化蓝宝石衬底的图形形貌研究进展 | 第13-18页 |
1.3.1 凹槽形图形化蓝宝石衬底 | 第13-15页 |
1.3.2 圆孔形图形化蓝宝石衬底 | 第15-16页 |
1.3.3 梯形和圆锥形图形化蓝宝石衬底 | 第16-17页 |
1.3.4 半球形图形化蓝宝石衬底 | 第17-18页 |
1.4 图形化蓝宝石衬底的制备技术研究进展 | 第18-24页 |
1.4.1 干法刻蚀技术制备图形化蓝宝石衬底的研究进展 | 第18-20页 |
1.4.2 湿法刻蚀技术制备图形化蓝宝石衬底的研究进展 | 第20-24页 |
1.5 目前存在的问题与挑战 | 第24页 |
1.6 本课题主要研究内容 | 第24-26页 |
第2章实验材料与实验方法 | 第26-31页 |
2.1 实验药品及材料 | 第26页 |
2.2 实验仪器及表征方法 | 第26-27页 |
2.3 实验方法 | 第27-29页 |
2.3.1 蓝宝石单晶的清洗 | 第27页 |
2.3.2 图形化蓝宝石衬底的清洗 | 第27-28页 |
2.3.3 覆盖SiO_2掩膜的c面蓝宝石单晶的制备 | 第28页 |
2.3.4 蓝宝石单晶的湿法刻蚀 | 第28-29页 |
2.4 表征方法 | 第29-31页 |
2.4.1 SEM表征 | 第29页 |
2.4.2 AFM表征 | 第29页 |
2.4.3 X射线衍射分析 | 第29-31页 |
第3章c面蓝宝石单晶的湿化学刻蚀行为研究 | 第31-45页 |
3.1 磷酸对c面蓝宝石单晶的湿化学刻蚀行为研究 | 第31-33页 |
3.2 硫酸对c面蓝宝石单晶的湿化学刻蚀行为研究 | 第33-38页 |
3.3 磷酸、硫酸混合液对c面蓝宝石单晶的湿化学刻蚀行为研究 | 第38-39页 |
3.4 磷酸和硫酸刻蚀剂对c面蓝宝石刻蚀速率的研究 | 第39-44页 |
3.4.1 覆盖无序SiO_2掩膜的蓝宝石衬底的制备 | 第39-41页 |
3.4.2 磷酸刻蚀剂对c面蓝宝石刻蚀速率的研究 | 第41-43页 |
3.4.3 磷酸、硫酸混合溶液对c面蓝宝石刻蚀速率的研究 | 第43-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第4章磷酸和硫酸对图形化蓝宝石衬底的湿化学刻蚀行为研究 | 第45-60页 |
4.1 磷酸对图形化蓝宝石衬底的湿化学刻蚀行为研究 | 第45-57页 |
4.1.1 磷酸刻蚀图形化蓝宝石衬底前期阶段的刻蚀行为 | 第47-51页 |
4.1.2 磷酸刻蚀图形化蓝宝石衬底中期阶段的刻蚀行为 | 第51-54页 |
4.1.3 磷酸刻蚀图形化蓝宝石衬底后期阶段的刻蚀行为 | 第54-57页 |
4.2 硫酸对图形化蓝宝石衬底的湿化学刻蚀行为研究 | 第57-59页 |
4.3 本章小结 | 第59-60页 |
第5章磷酸和硫酸混合刻蚀剂对图形化蓝宝石衬底的湿化学刻蚀行为研究 | 第60-71页 |
5.1 硫酸、磷酸溶液刻蚀图形化蓝宝石衬底前期阶段的刻蚀行为 | 第61-65页 |
5.2 硫酸、磷酸溶液刻蚀图形化蓝宝石衬底中期阶段的刻蚀行为 | 第65-67页 |
5.3 硫酸、磷酸溶液刻蚀图形化蓝宝石衬底后期阶段的刻蚀行为 | 第67-70页 |
5.4 本章小结 | 第70-71页 |
结论 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-80页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第80-82页 |
致谢 | 第82页 |