| 第一章 前言 | 第9-28页 |
| 1.1 高压物理学简介 | 第9-10页 |
| 1.2 静态高压的产生 | 第10-15页 |
| 1.2.1 高压装置 | 第10页 |
| 1.2.2 金刚石对顶砧 | 第10-14页 |
| 1.2.3 金刚石对顶砧的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 高压下原位电学性质研究的发展历史 | 第15-24页 |
| 1.3.1 方法的建立 | 第15-16页 |
| 1.3.2 高温下的高压电学测量方法 | 第16页 |
| 1.3.3 低温下的高压电学测量方法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 现代高压电学测量技术应用 | 第17-24页 |
| 1.4 高压电学研究意义 | 第24-25页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第24-25页 |
| 1.4.2 应用研究 | 第25页 |
| 1.5 论文的选题目的和意义 | 第25-26页 |
| 1.6 本论文各部分的主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 测量微电路在金刚石压砧上的集成 | 第28-37页 |
| 2.1 四引线测量方法工作原理 | 第28-30页 |
| 2.2 测量微电路在金刚石对顶砧上的集成 | 第30-35页 |
| 2.2.1 金属钼薄膜的溅射 | 第30-31页 |
| 2.2.2 金属钼薄膜的图形化 | 第31-32页 |
| 2.2.3 氧化铝绝缘保护层的制备 | 第32-35页 |
| 2.3 样品的组装 | 第35-36页 |
| 2.4 小结 | 第36-37页 |
| 第三章 电学测量方法在 DAC 上的应用 | 第37-56页 |
| 3.1 ZnS 高压电学性质研究 | 第38-48页 |
| 3.1.1 体材料ZnS 高压电学性质研究 | 第39-42页 |
| 3.1.2 ZnS 电阻率的计算和电阻随温度的变化关系 | 第42-46页 |
| 3.1.3 纳米ZnS 高压电学性质研究 | 第46-48页 |
| 3.2 ZnO 高压电学性质研究 | 第48-49页 |
| 3.3 石墨相C_3N_4 高压电学性质研究 | 第49-54页 |
| 3.4 小结 | 第54-56页 |
| 第四章 利用有限元分析方法计算电阻率 | 第56-71页 |
| 4.1 有限元分析方法 | 第56页 |
| 4.2 ANSYS 简介 | 第56-63页 |
| 4.2.1 ANSYS 简介 | 第56-57页 |
| 4.2.2 ANSYS 主要功能 | 第57-58页 |
| 4.3.1 模型建立 | 第58页 |
| 4.3.2 电阻率计算 | 第58-61页 |
| 4.3.3 误差分析 | 第61-63页 |
| 4.4 电阻率测量方法在DAC 中的测量精度 | 第63-70页 |
| 4.4.1 四点法测量电阻率 | 第63-66页 |
| 4.4.2 Van der Pauw 法 | 第66-68页 |
| 4.4.3 准四探针法 | 第68-70页 |
| 4.5 小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 附录:同步辐射高压EDXD 实验原理及系统 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 攻读博士期间发表的文章 | 第83-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 作者简历 | 第87-88页 |
| 摘要 | 第88-91页 |
| ABSTRACT | 第91页 |