| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 低介电常数材料的提出 | 第9-12页 |
| 1.1.1 互连工艺结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 工业界技术背景 | 第11-12页 |
| 1.2 降低介电常数的途径 | 第12-16页 |
| 1.2.1 介电常数的产生机理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 降低介电常数的途径 | 第14-16页 |
| 1.3 低介电常数材料 | 第16-18页 |
| 1.3.1 低介电常数材料的各项性能要求 | 第16-17页 |
| 1.3.2 低介电常数材的工艺温度 | 第17-18页 |
| 1.4 低介电常数材料的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 低介电常数材料分类 | 第18-19页 |
| 1.4.2 低介电常数材料制备工艺 | 第19-21页 |
| 1.5 本课题研究目的 | 第21-23页 |
| 第二章 旋涂制备SiCOH低介电常数薄膜与表征 | 第23-44页 |
| 2.1 引言 | 第23-26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-29页 |
| 2.2.1 材料与仪器 | 第26页 |
| 2.2.2 溶胶凝胶制备法 | 第26-27页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第27页 |
| 2.2.4 样品表征方法 | 第27-29页 |
| 2.3 结果与分析 | 第29-42页 |
| 2.3.1 化学组成分析 | 第29-40页 |
| 2.3.2 电学性能表征 | 第40-41页 |
| 2.3.3 力学性能表征 | 第41-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 PECVD方法制备SiCOF低介电常数薄膜 | 第44-62页 |
| 3.1 引言 | 第44-46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-47页 |
| 3.2.1 仪器与设备 | 第46-47页 |
| 3.2.2 PECVD样品制备工艺 | 第47页 |
| 3.2.3 反应条件的影响 | 第47页 |
| 3.3 结果与分析 | 第47-60页 |
| 3.3.1 不同射频功率条件的样品性能表征 | 第47-52页 |
| 3.3.2 不同C_2F_6流量条件的样品性能表征 | 第52-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 总结与展望 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 硕士阶段完成工作 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |