| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 TFT简介 | 第14-15页 |
| 1.3 应用于显示领域的TFT | 第15-21页 |
| 1.3.1 氢化非晶硅TFT | 第16页 |
| 1.3.2 低温多晶硅TFT | 第16-17页 |
| 1.3.3 有机TFT | 第17-18页 |
| 1.3.4 MO-TFT | 第18-21页 |
| 1.4 MO-TFT在平板显示中的应用 | 第21-24页 |
| 1.4.1 AMLCD和AMOLED | 第21-22页 |
| 1.4.2 透明显示 | 第22-23页 |
| 1.4.3 柔性显示 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文工作 | 第24-26页 |
| 第二章 MO-TFT的结构、原理、制备以及性能的影响因素 | 第26-43页 |
| 2.1 MO-TFT的几种常见结构及其工作原理 | 第26-29页 |
| 2.1.1 MO-TFT的几种常见结构 | 第26-27页 |
| 2.1.2 MO-TFT的工作原理 | 第27-29页 |
| 2.2 氧化物半导体材料及其导电机理 | 第29-31页 |
| 2.2.1 氧化物半导体材料 | 第29-30页 |
| 2.2.2 氧化物半导体的导电机理 | 第30-31页 |
| 2.3 氧化物薄膜的制备技术 | 第31-33页 |
| 2.3.1 传统薄膜制备工艺 | 第31-32页 |
| 2.3.2 溶液处理和印刷工艺 | 第32-33页 |
| 2.4 TFT的重要性能参数 | 第33-37页 |
| 2.5 MO-TFT性能的影响因素 | 第37-42页 |
| 2.5.1 有源层的影响 | 第37-38页 |
| 2.5.2 绝缘层的影响 | 第38-39页 |
| 2.5.3 源、漏电极的影响 | 第39-40页 |
| 2.5.4 器件结构的影响 | 第40-41页 |
| 2.5.5 环境的影响和钝化层 | 第41-42页 |
| 2.6 本章小节 | 第42-43页 |
| 第三章 溶剂处理对IGZO-TFT性能的影响 | 第43-57页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 实验 | 第43-46页 |
| 3.2.1 器件制备 | 第44-46页 |
| 3.2.2 溶剂处理 | 第46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-56页 |
| 3.3.1 器件性能 | 第46-50页 |
| 3.3.2 氧状态 | 第50-52页 |
| 3.3.3 接触电阻 | 第52-53页 |
| 3.3.4 表面能 | 第53-54页 |
| 3.3.5 表面形貌 | 第54-55页 |
| 3.3.6 态密度和透光率 | 第55-56页 |
| 3.4 本章小节 | 第56-57页 |
| 第四章 自组装分子修饰的高性能IGZO-TFT | 第57-77页 |
| 4.1 引言 | 第57-59页 |
| 4.2 有机自组装分子修饰的IGZO-TFT研究 | 第59-68页 |
| 4.2.1 实验 | 第59-61页 |
| 4.2.2 器件性能 | 第61-63页 |
| 4.2.3 结果分析 | 第63-68页 |
| 4.3 自组装分子所含烷基链长短对器件性能的影响 | 第68-75页 |
| 4.3.1 器件制备 | 第69-70页 |
| 4.3.2 器件性能 | 第70-72页 |
| 4.3.3 结果分析 | 第72-75页 |
| 4.4 本章小节 | 第75-77页 |
| 第五章 基于Au纳米粒子修饰的背沟道刻蚀型TFT | 第77-88页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 金属纳米粒子的选择 | 第78-79页 |
| 5.3 Au纳米粒子的优点 | 第79-80页 |
| 5.3.1 化学稳定性好 | 第79页 |
| 5.3.2 抗氧化性好 | 第79页 |
| 5.3.3 热稳定性好 | 第79页 |
| 5.3.4 功函数高 | 第79-80页 |
| 5.4 实验结果与分析 | 第80-87页 |
| 5.4.1 Au纳米粒子厚度对IGZO薄膜刻蚀速率的影响 | 第80-81页 |
| 5.4.2 引入Au纳米粒子后IGZO薄膜的抗刻蚀能力 | 第81-82页 |
| 5.4.3 薄膜表面形貌 | 第82-83页 |
| 5.4.4 器件制备 | 第83-84页 |
| 5.4.5 输出和转移曲线 | 第84-87页 |
| 5.5 本章小节 | 第87-88页 |
| 第六章 高迁移率氧化物材料及其TFT研究 | 第88-110页 |
| 6.1 引言 | 第88-89页 |
| 6.2 材料研究 | 第89-95页 |
| 6.2.1 为什么IGZO迁移率相对较低？ | 第89-90页 |
| 6.2.2 氧化物材料的设计思路 | 第90-91页 |
| 6.2.3 计算分析验证 | 第91-95页 |
| 6.3 基于Zr In O有源层的TFT | 第95-105页 |
| 6.3.1 靶材成份的影响 | 第95-97页 |
| 6.3.2 有源层工艺条件的影响 | 第97-99页 |
| 6.3.3 有源层厚度的影响 | 第99-100页 |
| 6.3.4 退火温度的影响 | 第100-102页 |
| 6.3.5 薄膜基本性能表征 | 第102-104页 |
| 6.3.6 ZrInO-TFT的电学性能 | 第104-105页 |
| 6.4 基于ZrInO/IGZO双层结构的TFT | 第105-109页 |
| 6.4.1 双层结构的TFT的优点 | 第105-106页 |
| 6.4.2 ZrInO/IGZO双层结构TFT的制备 | 第106页 |
| 6.4.3 ZrInO/IGZO双层结构TFT的电学性能 | 第106-108页 |
| 6.4.4 ZrInO/IGZO双层结构TFT的偏压稳定性 | 第108-109页 |
| 6.5 本章小节 | 第109-110页 |
| 第七章 基于PEN衬底的柔性MO-TFT | 第110-122页 |
| 7.1 引言 | 第110页 |
| 7.2 柔性衬底 | 第110-112页 |
| 7.3 塑料衬底的缺陷及改善 | 第112-113页 |
| 7.4 器件制备 | 第113-116页 |
| 7.5 结果及讨论 | 第116-120页 |
| 7.5.1 透射电子显微镜分析 | 第116-117页 |
| 7.5.2 输出和转移特性 | 第117-118页 |
| 7.5.3 De-bonding前后TFT特性 | 第118-119页 |
| 7.5.4 正负偏压稳定性 | 第119页 |
| 7.5.5 不同曲率半径下的TFT性能 | 第119-120页 |
| 7.6 本章小节 | 第120-122页 |
| 结论 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-146页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第146-150页 |
| 致谢 | 第150-151页 |
| 附件 | 第151页 |
