| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第10-11页 |
| 1.2 IGBT器件概述 | 第11-13页 |
| 1.2.1 IGBT的发展背景 | 第11-12页 |
| 1.2.2 IGBT的发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.3 研究热点及现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 低功耗IGBT简述 | 第16-28页 |
| 2.1 IGBT基本结构以及工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 IGBT的静态特性 | 第17-21页 |
| 2.2.1 正向导通特性 | 第17-19页 |
| 2.2.2 阻断特性 | 第19-21页 |
| 2.3 IGBT的动态特性 | 第21-24页 |
| 2.4 安全工作区 | 第24-25页 |
| 2.5 FS-IGBT器件简介 | 第25-27页 |
| 2.6 低功耗IGBT简介 | 第27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 具有深槽分裂栅CSTBT器件研究 | 第28-48页 |
| 3.1 CSTBT器件简介 | 第28-31页 |
| 3.2 具有深槽分裂栅CSTBT器件结构及其工作机理 | 第31-32页 |
| 3.3 具有深槽分裂栅CSTBT器件仿真设计 | 第32-45页 |
| 3.3.1 耐压特性 | 第33-37页 |
| 3.3.2 开关特性 | 第37-41页 |
| 3.3.3 导通压降与关断损耗的折中关系 | 第41-42页 |
| 3.3.4 关键参数对器件特性的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 具有深槽分裂栅结构的CSTBT器件工艺方案 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 具有空穴阻挡层SA LIGBT器件研究 | 第48-63页 |
| 4.1 短路阳极IGBT器件简介 | 第48-51页 |
| 4.1.1 器件结构特征与输出特性 | 第48-49页 |
| 4.1.2 Snapback现象及其抑制机理分析 | 第49-51页 |
| 4.2 具有电子阻挡层SA LIGBT器件结构及其工作机理 | 第51-52页 |
| 4.3 具有电子阻挡层SA LIGBT器件仿真优化 | 第52-60页 |
| 4.3.1 耐压特性 | 第54页 |
| 4.3.2 开关特性 | 第54-57页 |
| 4.3.3 导通压降与关断损耗的折中关系 | 第57页 |
| 4.3.4 关键参数对器件特性的影响 | 第57-60页 |
| 4.4 具有空穴阻挡层LIGBT器件的工艺方案 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
