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基于CMOS工艺的单光子传感器像素单元设计

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-18页
    1.1 研究背景及意义第11-13页
        1.1.1 研究背景第11-12页
        1.1.2 研究意义第12-13页
    1.2 国内外研究现状及发展趋势第13-16页
        1.2.1 国外研究现状第13-14页
        1.2.2 国内研究现状第14-15页
        1.2.3 发展趋势第15-16页
    1.3 创新点及主要研究内容第16-18页
        1.3.1 创新点第16页
        1.3.2 研究内容第16-18页
第二章 SPAD探测器像素单元的工作原理第18-20页
    2.1 单光子雪崩二极管探测器的工作原理和过程第18-19页
    2.2 主要工作和章节安排第19-20页
第三章 单光子雪崩光电二极管的探测基础第20-30页
    3.1 单光子雪崩光电二极管的工作原理第20-22页
    3.2 SPAD的性能参数第22-24页
        3.2.1 光子探测效率(PDE)第22页
        3.2.2 边缘效应第22页
        3.2.3 死时间第22页
        3.2.4 暗计数率第22-23页
        3.2.5 后脉冲率第23页
        3.2.6 时间分辨率第23-24页
        3.2.7 串扰率第24页
    3.3 SPAD的淬灭模式第24-29页
        3.3.1 无源淬灭模式第25-26页
        3.3.2 有源淬灭模式第26-27页
        3.3.3 门控淬灭模式第27-29页
    3.4 小结第29-30页
第四章 单光子雪崩光电二极管的设计与仿真第30-48页
    4.1 雪崩光电二极管器件的结构介绍第30-33页
        4.1.1 SPAD结构的介绍第30-32页
        4.1.2 平面型SPAD保护环的结构第32-33页
    4.2 SPAD的结构设计第33-34页
    4.3 SPAD结构特性的仿真第34-43页
        4.3.1 Silvoca TCAD仿真软件的介绍第34-35页
        4.3.2 SPAD结构的仿真第35-37页
        4.3.3 SPAD结构的V—I特性仿真第37页
        4.3.4 SPAD的电场分布仿真第37-39页
        4.3.5 SPAD的碰撞产生率的仿真第39-40页
        4.3.6 SPAD的雪崩产生率的仿真第40-41页
        4.3.7 光电流仿真第41页
        4.3.8 量子效率仿真第41-42页
        4.3.9 波长响应的仿真第42-43页
    4.4 设计的SPAD结构与其它SPAD结构的比较第43-47页
        4.4.1 理论论证第43-44页
        4.4.2 仿真验证第44-47页
    4.5 小结第47-48页
第五章 SPAD淬灭恢复电路的设计与仿真第48-64页
    5.1 SPAD淬灭恢复电路的介绍与选择第48-50页
        5.1.1 SPAD的无源淬灭恢复像素单元第48-49页
        5.1.2 SPAD的有源淬灭恢复像素单元第49-50页
    5.2 有源淬灭恢复电路设计第50-59页
        5.2.1 SPAD电路等效模型的优化第50-53页
        5.2.2 淬灭恢复电路的设计第53-56页
        5.2.3 延迟电路的设计第56-59页
    5.3 SPAD有源淬灭像素单元电路的仿真第59-60页
        5.3.1 Cadence仿真软件的介绍第59页
        5.3.2 SPAD像素单元原理图的仿真第59-60页
    5.4 SPAD像素单元版图的设计第60-63页
        5.4.1 Tanner L-Edit软件的简介第61页
        5.4.2 SPAD像素单元电路版图的绘制第61-63页
    5.5 小结第63-64页
第六章 总结与展望第64-66页
    6.1 总结第64-65页
    6.2 展望第65-66页
参考文献第66-70页
附录:作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目第70页

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