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陶瓷基板用银基导电浆料的制备与表征

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 课题背景及研究的目的第10-12页
    1.2 导电浆料的研究概况第12-13页
        1.2.1 导电浆料的成分第12页
        1.2.2 导电浆料的导电机理第12-13页
    1.3 导电浆料中无铅低熔点封接玻璃料的研究现状第13-18页
        1.3.1 低熔点封接玻璃料的无铅化第13-14页
        1.3.2 无铅低熔点封接玻璃料的研究现状第14-17页
        1.3.3 导电浆料的研究现状第17-18页
    1.4 本文的主要研究内容第18-20页
第2章 实验材料、设备及方法第20-33页
    2.1 引言第20页
    2.2 实验材料及设备第20-21页
        2.2.1 实验材料第20-21页
        2.2.2 实验设备第21页
    2.3 无铅低熔点封接玻璃的制备第21-26页
        2.3.1 玻璃料主体结构的选择第21-22页
        2.3.2 玻璃料的组分设计第22-24页
        2.3.3 玻璃料粉末的制备流程第24-26页
    2.4 银基导电浆料的制备第26-27页
        2.4.1 导电浆料的配方设计第26-27页
        2.4.2 导电浆料的制备流程第27页
        2.4.3 导电浆料在Al_2O_3陶瓷基板上的烧结工艺第27页
    2.5 封接玻璃料、导电浆料的表征及性能测试第27-32页
        2.5.1 X射线衍射测试第27页
        2.5.2 拉曼光谱测试第27-28页
        2.5.3 红外光谱测试第28页
        2.5.4 DSC热性能测试第28页
        2.5.5 密度测试第28-29页
        2.5.6 热膨胀系数的测定第29页
        2.5.7 百格试验第29-30页
        2.5.8 扫描电子显微镜分析第30页
        2.5.9 四探针测试第30-32页
    2.6 本章小结第32-33页
第3章 无铅低熔点封接玻璃料的性能分析第33-61页
    3.1 引言第33页
    3.2 无铅低熔点封接玻璃的析晶情况第33-38页
        3.2.1 Bi_2O_3含量对玻璃晶体状态的影响第34-35页
        3.2.2 SiO_2含量对玻璃晶体状态的影响第35-36页
        3.2.3 TiO_2含量对玻璃晶体状态的影响第36-37页
        3.2.4 MgO含量对玻璃晶体状态的影响第37页
        3.2.5 氧化物对玻璃晶体状态的影响第37-38页
    3.3 无铅低熔点封接玻璃的热性能分析第38-44页
        3.3.1 Bi_2O_3含量对玻璃热性能的影响第39-40页
        3.3.2 SiO_2含量对玻璃热性能的影响第40-42页
        3.3.3 TiO_2含量对玻璃热性能的影响第42-43页
        3.3.4 MgO含量对玻璃热性能的影响第43-44页
    3.4 无铅低熔点封接玻璃网络结构分析第44-55页
        3.4.1 Bi_2O_3含量对玻璃网络结构的影响第46-49页
        3.4.2 SiO_2含量对玻璃网络结构的影响第49-52页
        3.4.3 TiO_2含量对玻璃网络结构的影响第52-54页
        3.4.4 MgO含量对玻璃网络结构的影响第54-55页
    3.5 无铅低熔点封接玻璃的热膨胀系数第55-58页
        3.5.1 Bi_2O_3含量对玻璃料热膨胀系数的影响第56页
        3.5.2 SiO_2含量对玻璃料热膨胀系数的影响第56-57页
        3.5.3 TiO_2含量对玻璃料热膨胀系数的影响第57-58页
        3.5.4 MgO含量对玻璃料热膨胀系数的影响第58页
    3.6 无铅低熔点封接玻璃的密度第58-59页
    3.7 本章小结第59-61页
第4章 导电浆料的性能测试第61-67页
    4.1 引言第61页
    4.2 导电浆料的热性能第61-62页
    4.3 浆料在陶瓷基板上烧结后的导电性能第62-64页
    4.4 导电浆料在Al_2O_3陶瓷基板上烧结后的结合强度第64-66页
    4.5 本章小结第66-67页
结论第67-68页
参考文献第68-73页
致谢第73页

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