| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-39页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 空间太阳电池的发展概况 | 第16-18页 |
| 1.3 高效多结太阳电池研究现状 | 第18-23页 |
| 1.3.1 晶格匹配正向多结太阳电池 | 第19-20页 |
| 1.3.2 倒置多结太阳电池 | 第20-23页 |
| 1.4 太阳电池辐照损伤效应研究现状 | 第23-28页 |
| 1.4.1 单结GaAs/Ge电池辐照损伤行为研究 | 第23-25页 |
| 1.4.2 Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池辐照损伤行为研究 | 第25-28页 |
| 1.5 太阳电池辐照损伤机理研究现状 | 第28-32页 |
| 1.6 太阳电池在轨评价理论和方法 | 第32-36页 |
| 1.7 空间太阳电池退火效应研究 | 第36-37页 |
| 1.8 本文的研究目的和主要内容 | 第37-39页 |
| 第2章 试验材料及研究方法 | 第39-46页 |
| 2.1 试验材料 | 第39-42页 |
| 2.1.1 晶格失配In_(1-x)Ga_xAs子电池的结构与性能 | 第39-40页 |
| 2.1.2 IMM3J、IMM4J太阳电池的结构与性能 | 第40-42页 |
| 2.2 试验设备及辐照方案 | 第42-43页 |
| 2.3 光电性能测试设备及分析方法 | 第43-45页 |
| 2.3.1 Ⅰ-Ⅴ性能测试 | 第43-44页 |
| 2.3.2 光谱响应测试 | 第44页 |
| 2.3.3 暗特性测试 | 第44页 |
| 2.3.4 荧光强度测试 | 第44-45页 |
| 2.4 退火设备及工艺参数 | 第45-46页 |
| 第3章 In_(1-x)Ga_xAs子电池高能电子辐照损伤效应与机理分析 | 第46-68页 |
| 3.1 In_(1-x)Ga_xAs子电池高能电子辐照损伤效应 | 第46-53页 |
| 3.1.1 Ⅰ-Ⅴ性能退化规律 | 第46-51页 |
| 3.1.2 光谱响应退化规律 | 第51-53页 |
| 3.2 In_(1-x)Ga_xAs子电池的辐照损伤模型与机理分析 | 第53-59页 |
| 3.2.1 I_(sc)退化模型及损伤机理 | 第53-57页 |
| 3.2.2 V_(oc)退化模型及损伤机理 | 第57-59页 |
| 3.3 In_(1-x)Ga_xAs子电池暗特性退化规律 | 第59-63页 |
| 3.3.1 暗电流组成及等效电路 | 第59-60页 |
| 3.3.2 In_(1-x)Ga_xAs子电池本征电阻与电流辐照退化行为 | 第60-63页 |
| 3.4 In_(1-x)Ga_xAs子电池少数载流子退化行为 | 第63-67页 |
| 3.4.1 有效载流子寿命与荧光强度等效模型 | 第63-65页 |
| 3.4.2 有效载流子寿命退化规律 | 第65-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 IMM3J与IMM4J电池高能电子辐照损伤效应 | 第68-91页 |
| 4.1 IMM3J电池高能电子辐照损伤效应 | 第68-75页 |
| 4.1.1 Ⅰ-Ⅴ性能退化规律 | 第68-71页 |
| 4.1.2 光谱响应退化规律 | 第71-73页 |
| 4.1.3 IMM3J电池本征电阻退化行为 | 第73-75页 |
| 4.2 IMM4J电池高能电子辐照损伤效应 | 第75-82页 |
| 4.2.1 Ⅰ-Ⅴ性能退化规律 | 第75-77页 |
| 4.2.2 光谱响应退化规律 | 第77-79页 |
| 4.2.3 IMM4J电池本征电阻退化行为 | 第79-82页 |
| 4.3 IMM多结电池与正向电池的性能对比及优化途径 | 第82-89页 |
| 4.3.1 短路电流的分配原则与优化途径 | 第83-87页 |
| 4.3.2 开路电压的等效对比与优化途径 | 第87-89页 |
| 4.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第5章 高能电子辐照IMM4J电池及In_(1-x)Ga_xAs子电池的退火效应 | 第91-115页 |
| 5.1 试验用In_(1-x)Ga_xAs子电池结构及辐照效应分析 | 第91-93页 |
| 5.2 高能电子辐照In_(1-x)Ga_xAs子电池的退火温度效应 | 第93-101页 |
| 5.2.1 不同温度I-V电性能退火效应 | 第93-95页 |
| 5.2.2 不同温度EQE退火效应 | 第95-99页 |
| 5.2.3 不同温度暗特性退火效应 | 第99-101页 |
| 5.3 高能电子辐照后In_xGa_(1-x)As子电池退火时间效应 | 第101-105页 |
| 5.3.1 In_xGa_(1-x)As子电池Ⅰ-Ⅴ电性能退火结果对比 | 第101-102页 |
| 5.3.2 In_xGa_(1-x)As子电池EQE退火结果对比 | 第102-103页 |
| 5.3.3 In_xGa_(1-x)As子电池暗特性退火结果对比 | 第103-105页 |
| 5.4 In_xGa_(1-x)As子电池辐照缺陷的热退火激活能分析 | 第105-109页 |
| 5.4.1 短路电流变化与深能级缺陷浓度变化的等效模型 | 第105-107页 |
| 5.4.2 In_xGa_(1-x)As子电池辐照缺陷激活能计算与分析 | 第107-109页 |
| 5.5 IMM4J电池退火效应分析 | 第109-113页 |
| 5.5.1 Ⅰ-Ⅴ电性能退火效应 | 第109-111页 |
| 5.5.2 EQE退火效应 | 第111-113页 |
| 5.6 本章小结 | 第113-115页 |
| 结论 | 第115-118页 |
| 参考文献 | 第118-129页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 个人简历 | 第132页 |
