| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 浮栅型存储器的工作原理及发展状况 | 第15-17页 |
| 1.3 电荷俘获型存储器 | 第17-22页 |
| 1.3.1 纳米晶存储器 | 第18页 |
| 1.3.2 缺陷俘获型存储器 | 第18-20页 |
| 1.3.3 电荷俘获型存储器的电学性能 | 第20-22页 |
| 1.4 阻变存储器 | 第22-27页 |
| 1.4.1 阻变存储器的研究 | 第22-24页 |
| 1.4.2 阻变存储器性能的主要参数 | 第24-26页 |
| 1.4.3 阻变存储器的阻变机理 | 第26-27页 |
| 1.5 原子层沉积技术(ALD) | 第27-28页 |
| 1.6 本文研究意义及主要内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 原子层沉积技术制备及其样品表征方法 | 第36-47页 |
| 2.1 ALD制备工艺 | 第36-43页 |
| 2.1.1 ALD的原理 | 第36-38页 |
| 2.1.2 ALD的特点 | 第38-39页 |
| 2.1.3 实验所用ALD系统简介 | 第39-42页 |
| 2.1.4 快速热退火系统 | 第42-43页 |
| 2.2 薄膜材料测试方法 | 第43页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱 | 第43页 |
| 2.2.2 透射电子显微技术 | 第43页 |
| 2.2.3 原子力显微技术 | 第43页 |
| 2.2.4 扫描电子显微技术 | 第43页 |
| 2.3 器件电学测试方法 | 第43-45页 |
| 2.3.1 Keithley 4200半导体特性分析系统 | 第43-44页 |
| 2.3.2 CasCade集成电路测试平台 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 ALD制备Ti-Al-O纳米晶存储器及其存储性能研究 | 第47-61页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 样品的制备工艺 | 第47-49页 |
| 3.3 样品的组成和微结构表征 | 第49-51页 |
| 3.4 能带分析 | 第51-54页 |
| 3.5 样品的电学性能 | 第54-58页 |
| 3.5.1 电荷存储性能 | 第54-56页 |
| 3.5.2 写入/擦除速度 | 第56-57页 |
| 3.5.3 抗疲劳特性与保持特性 | 第57-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第四章 ALD制备HfO_2/TiO_2/HfO_2叠层阻变存储器及其存储性能研究 | 第61-79页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 样品的制备工艺 | 第61-63页 |
| 4.3 样品的组成、结构和形貌表征 | 第63-66页 |
| 4.4 样品的电学性能 | 第66-71页 |
| 4.5 样品的阻变机理分析 | 第71-75页 |
| 4.6 本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 结论与展望 | 第79-82页 |
| 5.1 结论 | 第79-80页 |
| 5.2 展望 | 第80-82页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
