暗物质及中微子质量的三圈图产生模型
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第7-9页 |
| 第二章 标准模型简介 | 第9-20页 |
| 2.1 电弱理论 | 第9-12页 |
| 2.2 对称性自发破缺和Higgs机制 | 第12-15页 |
| 2.3 标准模型的缺陷 | 第15-17页 |
| 2.4 新物理模型 | 第17-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 中微子质量的产生机制 | 第20-35页 |
| 3.1 标准模型的简单扩充 | 第20-23页 |
| 3.2 标准模型的其它扩充：一般性考虑 | 第23-25页 |
| 3.3 中微子质量的seesaw产生模型 | 第25-29页 |
| 3.3.1 第Ⅰ类seesaw机制 | 第26-27页 |
| 3.3.2 第Ⅱ类seesaw机制 | 第27-28页 |
| 3.3.3 第Ⅲ类seesaw机制 | 第28-29页 |
| 3.4 中微子质量的圈图产生机制 | 第29-34页 |
| 3.4.1 单圈和两圈的情形 | 第29-30页 |
| 3.4.2 三圈的情形 | 第30-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 中微子质量的三圈图产生模型 | 第35-47页 |
| 4.1 模型介绍 | 第35-36页 |
| 4.2 中微子的质量 | 第36-38页 |
| 4.3 暗物质的Relic Density | 第38-39页 |
| 4.4 实验约束与数值结果 | 第39-42页 |
| 4.5 更多的暗物质现象 | 第42-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
