| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 主要符号表 | 第17-18页 |
| 1 绪论 | 第18-32页 |
| 1.1 硅烯 | 第18-29页 |
| 1.1.1 硅烯的历史、结构和稳定性 | 第18-20页 |
| 1.1.2 硅烯的基本性质 | 第20-22页 |
| 1.1.3 硅烯的实验合成进展 | 第22-27页 |
| 1.1.4 硅烯的理论研究进展 | 第27-28页 |
| 1.1.5 硅烯的应用前景 | 第28-29页 |
| 1.2 硼烯 | 第29-30页 |
| 1.2.1 硼烯的提出与理论预测 | 第29-30页 |
| 1.2.2 硼烯的实验合成 | 第30页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第30-31页 |
| 1.4 本文主要研究思路 | 第31-32页 |
| 2 理论基础 | 第32-37页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第32-35页 |
| 2.1.1 理论背景 | 第32-33页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第33页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham假设 | 第33-35页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第35页 |
| 2.2.1 局域密度近似 | 第35页 |
| 2.2.2 广义梯度近似 | 第35页 |
| 2.3 VASP软件包简介 | 第35-37页 |
| 3 Ag(111)表面上外延硅烯中的点缺陷 | 第37-56页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 计算方法 | 第37-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-55页 |
| 3.3.1 4×4硅烯中点缺陷的结构与其STM对应关系 | 第39-44页 |
| 3.3.2 (?)×(?)硅烯中点缺陷的结构与其STM对应关系 | 第44-48页 |
| 3.3.3 点缺陷在外延硅烯中的扩散行为 | 第48-52页 |
| 3.3.4 基于缺陷浓度解释不同硅烯超结构的实验表象 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 绝缘衬底对硅烯电子性质的影响 | 第56-65页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 计算方法 | 第56-57页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第57-64页 |
| 4.3.1 硅烯与衬底间的范德瓦尔斯相互作用稳定硅烯的几何结构 | 第57-59页 |
| 4.3.2 硅烯和衬底间的弱作用导致电子态密度的简单叠加 | 第59-60页 |
| 4.3.3 功函数是衬底对硅烯电子性质影响的关键因素 | 第60-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 碱金属插层双层硅烯 | 第65-74页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 计算方法 | 第65-66页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第66-72页 |
| 5.3.1 双层硅烯中狄拉克锥的缺失 | 第66-68页 |
| 5.3.2 碱金属插层实现狄拉克锥的修复 | 第68-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 6 硼烯在Cu(111)表面上生长的预测 | 第74-96页 |
| 6.1 引言 | 第74-75页 |
| 6.2 计算方法 | 第75-77页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第77-94页 |
| 6.3.1 硼单层在Cu(111)表面上可以稳定存在 | 第77-83页 |
| 6.3.2 Cu(111)表面上硼团簇的结构 | 第83-88页 |
| 6.3.3 硼团簇边界原子与金属表面间较强的相互作用 | 第88-90页 |
| 6.3.4 硼烯在Cu(111)表面上的生长行为 | 第90-94页 |
| 6.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 7 结论与展望 | 第96-99页 |
| 7.1 结论 | 第96-97页 |
| 7.2 创新点 | 第97页 |
| 7.3 展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-112页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 作者简介 | 第115页 |
