| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 纳米材料的概述 | 第13-14页 |
| 1.1.1 纳米材料的发展概况 | 第13页 |
| 1.1.2 纳米材料的分类 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体光催化的概述 | 第14-18页 |
| 1.2.1 半导体材料的特殊性质 | 第14页 |
| 1.2.2 半导体光催化原理 | 第14-15页 |
| 1.2.3 半导体光催化技术研究 | 第15-18页 |
| 1.3 硫化镉及硫化镉复合光催化剂概述 | 第18-22页 |
| 1.3.1 硫化镉的结构和性质 | 第18页 |
| 1.3.2 硫化镉复合材料的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.3.3 硫化镉及其复合材料在光催化方面的应用 | 第21-22页 |
| 1.4 CeO_2及CeO_2复合物概述 | 第22-28页 |
| 1.4.1 稀土氧化物催化剂 | 第22-23页 |
| 1.4.2 CeO_2的催化原理及其结构性质 | 第23-24页 |
| 1.4.3 CeO_2的合成方法 | 第24-26页 |
| 1.4.4 CeO_2复合材料的制备 | 第26-27页 |
| 1.4.5 CeO_2及其复合材料在光催化方面的应用 | 第27-28页 |
| 1.5 本文选题背景及研究内容 | 第28-30页 |
| 1.5.1 选题背景 | 第28-29页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 CeO_2 /CdS纳米复合光催化剂的制备与表征 | 第30-40页 |
| 2.1 前言 | 第30-31页 |
| 2.2 实验与方法 | 第31-33页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第31-32页 |
| 2.2.2 复合材料的制备 | 第32页 |
| 2.2.3 光催化剂的表征 | 第32-33页 |
| 2.2.4 复合材料的光催化 | 第33页 |
| 2.3 CdS/CeO_2复合光催化剂的表征 | 第33-38页 |
| 2.3.1 场发射扫描电镜和透射电镜（FE-SEM和TEM） | 第33-34页 |
| 2.3.2 X射线衍射分析（XRD） | 第34-35页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第35-36页 |
| 2.3.4 氮气吸附脱附分析（N2 adsorption–desorption） | 第36-37页 |
| 2.3.5 紫外可见漫反射光谱分析（UV–vis） | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 CdS/CeO_2光催化的活性及机理研究 | 第40-53页 |
| 3.1 前言 | 第40页 |
| 3.2 光催化活性研究方法 | 第40-41页 |
| 3.3 CdS/CeO_2光催化性能的影响因素 | 第41-45页 |
| 3.3.1 CdS纳米棒上CeO_2纳米颗粒负载量的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 RhB染料溶液pH对CeO_2/CdS降解效果的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.3 不同浓度RhB溶液对CeO_2/CdS光催化剂降解效果的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.4 金属离子对CeO_2/CdS光催化剂降解效果的影响 | 第45页 |
| 3.4 光催化活性分析 | 第45-51页 |
| 3.4.1 中间产物的分析 | 第45-48页 |
| 3.4.2 复合材料稳定性测试 | 第48-49页 |
| 3.4.3 CdS/CeO_2降解Rh B的机理研究 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 4.1 结论 | 第53-54页 |
| 4.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第63-64页 |
| 附录B 攻读学位期间所申请的专利目录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
