| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 二硫化物的研究背景 | 第16页 |
| 1.2 单层MoS_2的晶体结构和基本性质 | 第16-18页 |
| 1.3 MoS_2的研究现状及发展前景 | 第18-19页 |
| 1.4 计算方法和理论基础 | 第19-21页 |
| 1.4.1 第一性原理方法 | 第19-20页 |
| 1.4.2 密度泛函理论 | 第20-21页 |
| 1.4.3 MS软件介绍 | 第21页 |
| 1.5 本课题研究意义及主要内容 | 第21-24页 |
| 第二章 第V族非金属元素(N、P、As)掺杂MoS_2的性质 | 第24-34页 |
| 2.1 构建模型与计算方法 | 第24-25页 |
| 2.2 计算结果及分析 | 第25-29页 |
| 2.2.1 晶体结构与能量 | 第25-26页 |
| 2.2.2 三种替位掺杂体系的电子结构 | 第26-29页 |
| 2.3 光学性质 | 第29-33页 |
| 2.3.1 三种掺杂体系的介电函数 | 第29-31页 |
| 2.3.2 三种掺杂体系的吸收谱和反射谱 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 替位Mo原子掺杂和吸附掺杂对单层MoS_2的影响 | 第34-50页 |
| 3.1 Ta、W、Re替位掺杂MoS_2 | 第34-38页 |
| 3.1.1 计算模型和计算方法 | 第34-35页 |
| 3.1.2 优化后的几何结构与形成能 | 第35-36页 |
| 3.1.3 三种掺杂体系的电学特性 | 第36-38页 |
| 3.2 Ta、W、Re替位掺杂MoS_2体系的光学性质 | 第38-42页 |
| 3.2.1 介电函数 | 第39-40页 |
| 3.2.2 各掺杂体系的吸收谱 | 第40-41页 |
| 3.2.3 各掺杂体系的反射谱 | 第41页 |
| 3.2.4 各掺杂体系的损失谱 | 第41-42页 |
| 3.3 V，Co原子掺杂单层MoS_2 | 第42-49页 |
| 3.3.1 计算模型与方法 | 第42-43页 |
| 3.3.2 优化后的形成能和几何结构 | 第43页 |
| 3.3.3 掺杂体系的磁学特性 | 第43-46页 |
| 3.3.4 掺杂体系的电子结构 | 第46-47页 |
| 3.3.5 掺杂体系的光学性质 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 MoS_2-WSe_2异质结的掺杂 | 第50-60页 |
| 4.1 模型与计算方法 | 第50-51页 |
| 4.2 单层MoS_2与单层WSe_2的电子结构 | 第51-52页 |
| 4.3 MoS_2-WSe_2层间掺杂Cr的电子结构 | 第52-56页 |
| 4.4 光学性质 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 空位缺陷与复合缺陷对MoS_2的影响 | 第60-68页 |
| 5.1 模型和计算方法 | 第60页 |
| 5.2 空位缺陷及复合缺陷的晶体结构 | 第60-63页 |
| 5.3 Mo空位及复合缺陷MoS_2的电子结构 | 第63-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
