| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 LED的发展史 | 第9-10页 |
| 1.3 LED的基本原理和研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3.1 LED的发光原理 | 第10页 |
| 1.3.2 LED的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.4 提高LED芯片出光效率的方法 | 第12-17页 |
| 1.4.1 倒装芯片结构 | 第12-13页 |
| 1.4.2 生长布拉格反射层（DBR）结构 | 第13-14页 |
| 1.4.3 LED芯片外形的改变提高出光效率 | 第14-15页 |
| 1.4.4 利用光子晶体提高LED的出光效率 | 第15-16页 |
| 1.4.5 表面纳米化金属 | 第16页 |
| 1.4.6 表面粗化技术 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 LED芯片工艺流程和测试方法 | 第19-26页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 外延片的制备 | 第19-20页 |
| 2.3 芯片制造工艺 | 第20-24页 |
| 2.3.1 蒸镀 | 第20-21页 |
| 2.3.2 光刻 | 第21-22页 |
| 2.3.3 合金 | 第22-23页 |
| 2.3.4 半切和全切 | 第23页 |
| 2.3.5 测试 | 第23-24页 |
| 2.4 LED的封装工艺 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 强酸湿法粗化Ga P窗口层的研究 | 第26-34页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验内容 | 第26-29页 |
| 3.2.1 实验材料和测试设备 | 第26-28页 |
| 3.2.2 实验方案 | 第28-29页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第29-33页 |
| 3.3.1 不同强酸湿法粗化对LED芯片发光亮度的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.2 不同强酸湿法粗化对LED芯片电学性能的影响 | 第31页 |
| 3.3.3 不同强酸湿法粗化对GaP窗口层形貌的影响 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 有机酸/双氧水湿法粗化GaP窗口层的研究 | 第34-54页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 实验步骤 | 第34页 |
| 4.3 不同粗化时间对LED芯片性能的影响 | 第34-39页 |
| 4.3.1 不同粗化时间对LED芯片发光亮度的影响 | 第34-36页 |
| 4.3.2 不同粗化时间对LED芯片电学性能的影响 | 第36-37页 |
| 4.3.3 不同粗化时间对GaP窗口层形貌的影响 | 第37-39页 |
| 4.4 不同体积比柠檬酸/H_2O_2对LED芯片性能的影响 | 第39-44页 |
| 4.4.1 不同体积比湿法粗化对LED芯片发光亮度的影响 | 第39-41页 |
| 4.4.2 不同体积比湿法粗化对LED芯片电学性能的影响 | 第41-42页 |
| 4.4.3 不同体积比湿法粗化对GaP窗口层形貌的影响 | 第42-44页 |
| 4.5 不同粗化反应温度对LED芯片性能的影响 | 第44-47页 |
| 4.5.1 不同粗化反应温度对LED芯片发光亮度的影响 | 第44-45页 |
| 4.5.2 不同粗化反应温度对LED芯片电学性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.5.3 不同粗化反应温度对GaP窗口层形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.6 其它有机酸/双氧水湿法粗化GaP窗口层的研究 | 第47-52页 |
| 4.6.1 其它有机酸/双氧水湿法粗化对LED芯片发光亮度的影响 | 第48-50页 |
| 4.6.2 其它有机酸/双氧水湿法粗化对LED芯片电学性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.6.3 其它有机酸/双氧水湿法粗化对GaP窗口层形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.7 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 全文总结及工作展望 | 第54-56页 |
| 5.1 全文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
