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YBCO超导带材的MOCVD工艺及Zr掺杂特性的研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-19页
    1.1 超导体的简介第10-12页
        1.1.1 超导体的发展史第10-11页
        1.1.2 超导体的性质及应用第11-12页
    1.2 YBCO超导带材的简介第12-17页
        1.2.1 YBCO的结构性质第12-14页
        1.2.2 YBCO带材的结构及制备技术第14-17页
    1.3 论文研究意义及研究内容第17-19页
第二章 实验原理及表征方法第19-29页
    2.1 MOCVD(金属有机源化学气相沉积)技术及系统简介第19-22页
        2.1.1 MOCVD技术第19-20页
        2.1.2 自搭建MOCVD系统简介第20-22页
    2.2 MOCVD法制备YBCO薄膜流程第22-23页
    2.3 金属有机源的性质第23-24页
    2.4 薄膜表征方法第24-29页
        2.4.1 X射线衍射第24-25页
        2.4.2 扫描电子显微镜及能谱仪第25-26页
        2.4.3 YBCO临界电流密度(Jc)测试第26页
        2.4.4 利用台阶仪测薄膜厚度第26页
        2.4.5 利用物理性质测量系统(PPMS) 测试磁性能第26-29页
第三章 YBCO薄膜超导层的MOCVD工艺研究第29-55页
    3.1 加热温度对YBCO薄膜生长的影响第29-35页
        3.1.1 衬底基带直接通电加热的原理第29-32页
        3.1.2 加热温度对YBCO晶体结构的影响第32-33页
        3.1.3 加热温度对YBCO表面形貌的影响第33-34页
        3.1.4 加热温度对YBCO临界电流密度的影响第34-35页
    3.2 膜厚对YBCO超导薄膜生长的影响第35-41页
        3.2.1 膜厚对YBCO薄膜晶体结构的影响第37-38页
        3.2.2 膜厚对YBCO超导表面形貌的影响第38-39页
        3.2.3 膜厚对YBCO临界电流密度的影响第39-41页
    3.3 金属有机源成分配比对YBCO薄膜生长的影响第41-54页
        3.3.1 Y源比例对YBCO薄膜生长的影响研究第41-45页
        3.3.2 Ba源比例对YBCO薄膜生长的影响研究第45-49页
        3.3.3 Cu源含量对YBCO薄膜生长的影响研究第49-54页
    3.4 本章小结第54-55页
第四章 YBCO的磁通钉扎效应研究第55-67页
    4.1 磁通钉扎效应第55-56页
    4.2 Gd掺杂对YBCO超导薄膜的磁通钉扎第56-61页
        4.2.1 Gd掺杂对YBCO薄膜晶体结构的影响第57-59页
        4.2.2 Gd掺杂对YBCO薄膜表面形貌的影响第59-60页
        4.2.3 Gd掺杂对YBCO薄膜临界电流密度的影响第60-61页
    4.3 Zr掺杂对YBCO超导薄膜的钉扎效应研究第61-66页
        4.3.1 Zr掺杂对YBCO超导薄膜晶体结构的影响第61-64页
        4.3.2 Zr掺杂对YBCO超导薄膜表面形貌的影响第64页
        4.3.3 Zr掺杂对YBCO超导薄膜临界电流密度的影响第64-66页
    4.4 本章小结第66-67页
第五章 全文总结与展望第67-69页
    5.1 全文总结第67-68页
    5.2 对未来工作的展望第68-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-74页
攻读硕士学位期间取得的成果第74-75页

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