| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 磁光氧化物的发展与研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2 稀磁半导体磁性研究现状及磁性来源机理研究 | 第11-17页 |
| 1.3 稀磁绝缘体的磁光效应 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验和计算方法 | 第20-34页 |
| 2.1 靶材的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.2 薄膜的制备方法与工艺 | 第22-27页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积 | 第22页 |
| 2.2.2 薄膜的制备工艺 | 第22-27页 |
| 2.3 样品的分析及表征手段 | 第27-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第27-28页 |
| 2.3.2 紫外可见分光光度计 | 第28页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 | 第30页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.7 振动样品磁强计 | 第31页 |
| 2.3.8 光学显微镜 | 第31页 |
| 2.3.9 法拉第磁光光谱测试分析系统 | 第31-32页 |
| 2.4 基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第32-33页 |
| 2.4.1 计算方法与计算模型 | 第32页 |
| 2.4.2 计算所用软件 | 第32页 |
| 2.4.3 计算方法 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 Co掺杂Ce_xHf_(1-x)O_2薄膜的结构和性能研究 | 第34-50页 |
| 3.1 薄膜的结构 | 第34-38页 |
| 3.2 薄膜的成分分析 | 第38-41页 |
| 3.3 薄膜的磁性 | 第41-44页 |
| 3.4 薄膜的光学性质 | 第44-47页 |
| 3.5 薄膜的磁光性质 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 Co掺杂Ce_xHf_(1-x)O_2材料的第一性原理计算 | 第50-61页 |
| 4.1 计算模型及结果 | 第50-59页 |
| 4.1.1 氧空位远离Co的情形 | 第50-55页 |
| 4.1.2 氧空位近邻Co的情形 | 第55-59页 |
| 4.2 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-62页 |
| 5.1 结论 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |