| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 半导体光催化技术概述 | 第13-15页 |
| 1.1.1 半导体光催化背景 | 第13页 |
| 1.1.2 半导体光催化的基本原理及主要存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.1.3 半导体光催化的技术发展 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体光催化剂的改性方法 | 第15-16页 |
| 1.2.1 金属/非金属掺杂 | 第15-16页 |
| 1.2.2 构筑异质结 | 第16页 |
| 1.3 半导体异质结光催化剂 | 第16-20页 |
| 1.3.1 p-n型异质结 | 第16-18页 |
| 1.3.2 p-p/n-n型异质结 | 第18-19页 |
| 1.3.3 肖特基结 | 第19页 |
| 1.3.4 同质异相结 | 第19-20页 |
| 1.4 WO_3基半导体光催化剂 | 第20-21页 |
| 1.4.1 WO_3基半导体光催化剂的优缺点 | 第20-21页 |
| 1.4.2 WO_3基半导体光催化剂的改性方法 | 第21页 |
| 1.5 本论文的选题思想和研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-29页 |
| 第二章 六方/立方氧化钨同质异相结光催化剂制备及其光催化性能研究 | 第29-51页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-33页 |
| 2.2.1 化学试剂及仪器 | 第30-31页 |
| 2.2.2 光催化剂的制备 | 第31页 |
| 2.2.3 表征与测试 | 第31-32页 |
| 2.2.4 光催化实验 | 第32页 |
| 2.2.5 光电性能测试 | 第32-33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-46页 |
| 2.3.1 光催化材料表征 | 第33-42页 |
| 2.3.2 机理讨论 | 第42-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第三章 金/氧化钨肖特基结光电极的制备及其光电化学性能研究 | 第51-73页 |
| 3.1 引言 | 第51-53页 |
| 3.2 实验部分 | 第53-55页 |
| 3.2.1 化学试剂及仪器 | 第53页 |
| 3.2.2 Au/WO_3光电极制各 | 第53-54页 |
| 3.2.3 表征与测试 | 第54-55页 |
| 3.2.4 光电化学性能测试 | 第55页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第55-68页 |
| 3.3.1 材料表征 | 第55-61页 |
| 3.3.2 光电化学性能及机理讨论 | 第61-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 第四章 总结与展望 | 第73-77页 |
| 4.1 本论文的主要结论 | 第73-74页 |
| 4.2 本论文的主要创新点 | 第74页 |
| 4.3 展望 | 第74-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第79-81页 |
| 发表的学术论文和参加科研项目情况 | 第81-82页 |
| 附件 | 第82-101页 |
| 附表 | 第101页 |
