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柔性AlGaInP-LED微阵列器件设计及制作技术研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第12-36页
    1.1 引言第12-15页
    1.2 发光二极管发展概述第15-17页
    1.3 微型LED阵列器件第17-22页
    1.4 柔性无机LED微阵列器件的发展现状第22-34页
        1.4.1 柔性基底上生长纳米结构LED第23-25页
        1.4.2 转印LED像素单元第25-31页
        1.4.3 柔性LED器件的其它制作方法第31-34页
    1.5 本论文的主要研究内容第34-36页
第2章 发光二极管的基本理论第36-54页
    2.1 LED发光机理第36-41页
        2.1.1 Shockley-Read-Hall复合第36-38页
        2.1.2 辐射复合第38-39页
        2.1.3 俄歇复合第39-40页
        2.1.4 ABC模型第40-41页
    2.2 LED效率第41-46页
        2.2.1 LED的效率评价第41-43页
        2.2.2 LED效率衰退第43-46页
    2.3 LED电学特性第46-52页
        2.3.1 二极管电流-电压特性第46-48页
        2.3.2 多重结有效性第48-49页
        2.3.3 LED等效电路第49-50页
        2.3.4 温度特性第50-52页
    2.4 本章小结第52-54页
第3章 柔性LED微阵列器件的结构设计及力学问题分析第54-78页
    3.1 材料特性分析第54-60页
        3.1.1 柔性聚合物材料第54-58页
        3.1.2 AlGaInP-LED外延片材料第58-60页
    3.2 柔性LED微阵列结构设计第60-69页
        3.2.1 基本力学参数第60-63页
        3.2.2 柔性LED微阵列的基本结构第63-69页
    3.3 连接电极结构优化分析第69-76页
        3.3.1 连接电极基本结构第70-71页
        3.3.2 拉伸形变分析第71-74页
        3.3.3 弯曲形变分析第74-76页
    3.4 本章小结第76-78页
第4章 柔性AlGaIn P-LED微阵列器件的制作技术研究第78-94页
    4.1 柔性AlGaInP-LED微阵列的制作工艺流程第78-79页
    4.2 关键工艺技术研究第79-91页
        4.2.1 隔离沟槽的制作第79-84页
        4.2.2 衬底减薄第84-86页
        4.2.3 连接电极结构制作第86-89页
        4.2.4 接触点阵列的制作第89-91页
    4.3 器件样品及光电性能第91-92页
    4.4 本章小结第92-94页
第5章 柔性AlGaIn P-LED微阵列的热耗散分析第94-110页
    5.1 LED阵列的能量损失第94-98页
    5.2 热耗散分析第98-108页
        5.2.1 热耗散模型第98-100页
        5.2.2 单独LED像素工作时的热耗散第100-102页
        5.2.3 柔性LED微阵列的热耗散分析第102-105页
        5.2.4 热耗散对LED光输出功率的影响第105-108页
    5.3 本章小结第108-110页
第6章 总结与展望第110-114页
    6.1 结论第110-111页
    6.2 创新点第111-112页
    6.3 研究展望第112-114页
参考文献第114-128页
在学期间学术成果情况第128-130页
指导教师及作者简介第130-132页
致谢第132-133页

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