阻变存储器可靠性的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·传统非挥发性存储器 | 第10页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第10-15页 |
| ·分立电荷存储器 | 第11-12页 |
| ·相变存储器(PCM) | 第12-13页 |
| ·铁电存储器(Fe RAM) | 第13页 |
| ·磁阻存储器(MRAM) | 第13-14页 |
| ·阻变存储器（RRAM） | 第14-15页 |
| ·选题动机及研究内容 | 第15-17页 |
| ·选题动机 | 第15-16页 |
| ·研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 阻变存储器简述 | 第17-28页 |
| ·RRAM材料体系简述 | 第17-19页 |
| ·功能层材料简介 | 第17-18页 |
| ·电极材料简介 | 第18-19页 |
| ·阻变存储器的转变机理简介 | 第19-23页 |
| ·离子迁移转变机理 | 第19-20页 |
| ·电荷捕获和释放机制 | 第20-22页 |
| ·热化学反应机制 | 第22-23页 |
| ·阻变存储器的性能指标 | 第23-27页 |
| ·开关速度 | 第23-24页 |
| ·保持特性 | 第24-25页 |
| ·器件的疲劳特性 | 第25页 |
| ·均一性 | 第25-26页 |
| ·器件尺寸可缩小性 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 常规测试下器件可靠性的研究 | 第28-42页 |
| ·器件的工艺制备 | 第28-29页 |
| ·器件测试环境的搭建 | 第29-32页 |
| ·单器件测试环境的搭建 | 第29-30页 |
| ·阵列测试平台搭建 | 第30-32页 |
| ·脉冲测试平台搭建 | 第32页 |
| ·栅极编程提高器件一致性的研究 | 第32-38页 |
| ·实验方案设计 | 第33-34页 |
| ·实验结果及其分析 | 第34-38页 |
| ·脉冲编程对器件可靠性的研究 | 第38-41页 |
| ·器件制备及其实验方案制定 | 第38-39页 |
| ·实验结果及其分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 阻变存储器RTN的研究 | 第42-53页 |
| ·RTN简介 | 第42-44页 |
| ·RTN测试系统搭建 | 第44-47页 |
| ·RTN硬件测试系统搭建 | 第44-46页 |
| ·RTN软件测试系统搭建 | 第46-47页 |
| ·RTN在RRAM器件中的测试结果分析 | 第47-52页 |
| ·实验方案设计 | 第47-48页 |
| ·实验结果分析 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 全文总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
