| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-22页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·体相二硫化钼材料的研究 | 第7-10页 |
| ·纳米二硫化钼材料的研究 | 第10-12页 |
| ·二硫化钼纳米薄膜的制备方法 | 第12-15页 |
| ·二硫化钼纳米薄膜的物性研究 | 第15-17页 |
| ·二硫化钼纳米薄膜的应用 | 第17-21页 |
| ·本论文选题依据与研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 CVD法制备多层二硫化钼薄膜及物性研究 | 第22-28页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·CVD法制备二硫化钼薄膜的实验过程 | 第23-24页 |
| ·沉积时间对二硫化钼薄膜形貌及尺寸的影响 | 第24-25页 |
| ·沉积时间对二硫化钼薄膜厚度的影响 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 四层二硫化钼纳米薄膜的生长和物性研究 | 第28-32页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·四层二硫化钼纳米薄膜的制备过程 | 第28页 |
| ·四层二硫化钼纳米薄膜的形貌表征 | 第28-29页 |
| ·四层二硫化钼纳米薄膜的厚度表征 | 第29-30页 |
| ·四层二硫化钼纳米材料的发光特性 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 结论 | 第32-33页 |
| 致谢 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |